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이퓨즈 OTP 메모리 장치 및 그 구동 방법

  • 기술번호 : KST2021002068
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 실시예는, 이퓨즈 OTP 메모리 장치에 있어서, 이퓨즈 셀; 상기 이퓨즈 셀에 읽기 전류를 인가하여 상기 이퓨즈 셀에 대한 셀출력 전압을 생성하는 셀출력전압 생성부; 기준 전류가 흐르도록 구동되어 기준 전압을 생성하는 기준전압 생성부; 및 상기 셀출력 전압과 상기 기준 전압 사이의 차이를 기반으로 상기 이퓨즈 셀의 데이터에 대한 정보를 생성하는 데이터 판독부를 포함하는 이퓨즈 OTP 메모리 장치를 제공한다.
Int. CL G11C 17/16 (2006.01.01) G11C 17/18 (2021.01.01)
CPC G11C 17/16(2013.01) G11C 17/18(2013.01)
출원번호/일자 1020190125418 (2019.10.10)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2229463-0000 (2021.03.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20210318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.10)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유범선 충청북도 청주시 서원구
2 최호용 충청북도 청주시 서원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로**길 **(역삼동) 베리타스빌딩, *-*층(베리타스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-1032945-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0030183-48
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2021-0141222-65
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.02.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0141223-11
6 등록결정서
Decision to grant
2021.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0203047-50
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이퓨즈(E-Fuse: Electrical Fuse) OTP(One Time Programmable) 메모리 장치에 있어서,이퓨즈 셀;상기 이퓨즈 셀에 읽기 전류를 인가하여 상기 이퓨즈 셀에 대한 셀출력 전압을 생성하는 셀출력전압 생성부;기준 전류가 생성되도록 구동되어 상기 기준 전류에 따라 기준 전압을 생성하는 기준전압 생성부;서로 다른 복수의 복사 전류를 각각 생성하는 복수의 전류 복사회로;상기 복수의 전류 복사회로 중에서 하나의 전류 복사회로를 선택하여 상기 하나의 전류 복사회로에 대응하는 복사 전류가 제2 구동 전류로서 흐르도록 하는 전류선택부;상기 복수의 전류 복사회로에 연결되되, 상기 제2 구동 전류에 따라 상기 기준전압 생성부에 상기 기준 전류가 생성되도록 구동하는 제2 구동회로; 및상기 셀출력 전압과 상기 기준 전압 사이의 차이를 기반으로 상기 이퓨즈 셀의 데이터에 대한 정보를 생성하는 데이터 판독부를 포함하되,상기 복수의 복사 전류는 정상동작 전류, 상기 정상동작 전류보다 작은 제1 검증전류 및 상기 정상동작 전류보다 큰 제2 검증전류를 포함하고,상기 전류선택부의 선택에 의해 상기 제1 검증전류 또는 상기 제2 검증전류에 대응되는 기준 전류가 상기 기준전압 생성부에 인가되는 경우, 상기 데이터 판독부는 상기 제1 검증전류 또는 상기 제2 검증전류에 대응되는 기준 전압과 상기 셀출력 전압 사이의 차이에 기초하여 상기 이퓨즈 셀에 오류가 발생하였는지 여부를 나타내는 정보를 생성하는 이퓨즈 OTP 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 데이터 판독부는,상기 셀출력 전압과 상기 기준 전압을 각각 차동입력으로서 수신하는 차동증폭기를 포함하되, 상기 차동입력의 차이에 따른 상기 차동증폭기의 출력을 기반으로 상기 데이터 판독을 수행하는 것을 특징으로 하는 이퓨즈 OTP 메모리 장치
3 3
제1항에 있어서,기설정된 크기의 제1 구동 전류를 발생하되 상기 복수의 전류 복사회로에 대한 전류 미러로서 형성되는 제1 구동회로를 더 포함하는 이퓨즈 OTP 메모리 장치
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서,상기 제1 구동회로에 의해 구동되어 제3 구동전류를 생성하고 상기 셀출력전압 생성부에서 상기 읽기 전류가 생성되도록 상기 셀출력전압 생성부를 구동하는 제3 구동회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이퓨즈 OTP 메모리 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 셀출력전압 생성부는 상기 제3 구동회로에 대한 전류 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 이퓨즈 OTP 메모리 장치
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 이퓨즈 셀은 프로그래밍되기 전의 것이고 상기 제1 검증전류에 대응되는 기준 전류가 생성된 경우, 상기 데이터 판독부는 상기 셀출력 전압이 상기 기준 전압보다 클 경우 상기 이퓨즈 셀에 오류가 발생하였음을 나타내는 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 이퓨즈 OTP 메모리 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 이퓨즈 셀은 프로그래밍된 것이고 상기 제2검증전류에 대응되는 기준 전류가 생성된 경우, 상기 데이터 판독부는 상기 셀출력 전압이 상기 기준 전압보다 작을 경우 상기 이퓨즈셀에 오류가 발생하였음을 나타내는 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 이퓨즈 OTP 메모리 장치
10 10
이퓨즈 OTP 메모리 장치가 이퓨즈 OTP 메모리를 구동하는 방법에 있어서,이퓨즈 셀에 읽기 전류를 인가하여 상기 이퓨즈 셀에 대한 셀출력 전압을 생성하는 과정;기준전압 생성부에 기준 전류가 생성되도록 구동되어 상기 기준 전류에 따라 기준 전압을 생성하는 과정;서로 다른 복수의 복사 전류를 생성하는 복수의 전류 복사회로 중에서 하나의 전류 복사회로를 선택하여 상기 하나의 전류 복사회로에 대응하는 복사 전류가 제2 구동 전류로서 흐르도록 하는 선택과정; 및상기 복수의 전류 복사회로에 연결된 제2 구동회로가 상기 제2 구동 전류에 따라 상기 기준전압 생성부에 상기 기준 전류가 생성되도록 구동하는 과정을 포함하되,상기 복수의 복사 전류는 정상동작 전류, 상기 정상동작 전류보다 작은 제1 검증전류 및 상기 정상동작 전류보다 큰 제2 검증전류를 포함하고,상기 선택과정에서 상기 제1 검증전류 또는 상기 제2 검증전류에 대응되는 기준 전류가 인가되는 경우, 상기 제1 검증전류 또는 상기 제2 검증전류에 대응되는 기준 전압과 상기 셀출력 전압 사이의 차이에 기초하여 상기 이퓨즈 셀에 오류가 발생하였는지 여부를 나타내는 정보를 생성하는 과정을 더 포함하는 이퓨즈 OTP 메모리 구동 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.