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일면에 관심 영역이 설정되는 덮개층을 형성하는 단계;상기 덮개층의 일면에 확산 억제층을 적층하는 단계; 상기 확산 억제층 내 상기 관심 영역의 경계를 기초로 결정되는 제 1 마스킹 영역 이외의 영역을 식각하는 단계; 상기 식각된 확산 억제층 및 상기 식각에 의해 노출된 상기 덮개층 상에 SOG(spin-on-glass) 공정을 통해 SOG 층을 적층하는 단계;상기 SOG 층 내 상기 관심 영역을 기초로 결정되는 제 2 마스킹 영역 이외의 영역을 식각하는 단계; 및상기 식각된 SOG 층에 대해 확산 공정을 수행하여 상기 덮개층 내 상기 관심 영역에 대응되는 활성화 영역을 형성하는 단계를 포함하는광 다이오드의 활성화 영역 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 마스킹 영역은,상기 적층 방향 상에서 상기 관심 영역의 경계를 따라 결정되는광 다이오드의 활성화 영역 형성 방법
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3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 마스킹 영역은,상기 적층 방향 상에서 상기 관심 영역의 경계 외측으로 소정의 폭을 가지도록 결정되는광 다이오드의 활성화 영역 형성 방법
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4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 마스킹 영역은,상기 적층 방향 상에서 상기 관심 영역을 포함하도록 결정되는광 다이오드의 활성화 영역 형성 방법
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5
제 1 항에 있어서,상기 활성화 영역이 형성된 상기 덮개층의 상기 일면에 추가 덮개층을 적층하는 단계; 및상기 추가 덮개층 내 상기 적층 방향 상에서 상기 관심 영역과 적어도 일부가 중첩되는 추가 관심 영역에 대응되는 추가 활성화 영역을 형성하는 단계를 포함하는광 다이오드의 활성화 영역 형성 방법
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6
제 5 항에 있어서,상기 추가 활성화 영역을 형성하는 단계는,상기 추가 덮개층의 일면에 추가 확산 억제층을 적층하는 단계; 상기 추가 확산 억제층 내 상기 추가 관심 영역의 경계를 기초로 결정되는 제 1 추가 마스킹 영역 이외의 영역을 식각하는 단계; 상기 식각된 추가 확산 억제층 및 상기 식각에 의해 노출된 상기 추가 덮개층 상에 SOG 공정을 통해 추가 SOG 층을 적층하는 단계;상기 추가 SOG 층 내 상기 추가 관심 영역을 기초로 결정되는 제 2 추가 마스킹 영역 이외의 영역을 식각하는 단계; 및상기 식각된 추가 SOG 층에 대해 확산 공정을 수행하여 상기 추가 덮개층 내 상기 추가 관심 영역에 대응되는 상기 추가 활성화 영역을 형성하는 단계를 포함하는광 다이오드의 활성화 영역 형성 방법
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7
기판의 일면 상에 활성층을 배치하는 단계;상기 활성층의 일면 상에 덮개층을 배치하는 단계;상기 덮개층 중 관심 영역이 설정되는 일면에 확산 억제층을 적층하는 단계; 상기 확산 억제층 내 상기 관심 영역의 경계를 기초로 결정되는 제 1 마스킹 영역 이외의 영역을 식각하는 단계; 상기 식각된 확산 억제층 및 상기 식각에 의해 노출된 상기 덮개층 상에 SOG(spin-on-glass) 공정을 통해 SOG 층을 적층하는 단계;상기 SOG 층 내 상기 관심 영역을 기초로 결정되는 제 2 마스킹 영역 이외의 영역을 식각하는 단계; 및상기 식각된 SOG 층에 대해 확산 공정을 수행하여 상기 덮개층 내 상기 관심 영역에 대응되는 활성화 영역을 형성하는 단계를 포함하는광 다이오드 제조 방법
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8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 마스킹 영역은,상기 적층 방향 상에서 상기 관심 영역의 경계를 따라 결정되는광 다이오드 제조 방법
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9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 마스킹 영역은,상기 적층 방향 상에서 상기 관심 영역의 경계 외측으로 소정의 폭을 가지도록 결정되는광 다이오드 제조 방법
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10
제 7 항에 있어서,상기 제 2 마스킹 영역은,상기 적층 방향 상에서 상기 관심 영역을 포함하도록 결정되는광 다이오드 제조 방법
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11
제 7 항에 있어서,상기 활성화 영역이 형성된 상기 덮개층의 상기 일면에 추가 덮개층을 적층하는 단계; 및상기 추가 덮개층 내 상기 적층 방향 상에서 상기 관심 영역과 적어도 일부가 중첩되는 추가 관심 영역에 대응되는 추가 활성화 영역을 형성하는 단계를 포함하는광 다이오드 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 추가 활성화 영역을 형성하는 단계는,상기 추가 덮개층의 일면에 추가 확산 억제층을 적층하는 단계; 상기 추가 확산 억제층 내 상기 추가 관심 영역의 경계를 기초로 결정되는 제 1 추가 마스킹 영역 이외의 영역을 식각하는 단계; 상기 식각된 추가 확산 억제층 및 상기 식각에 의해 노출된 상기 추가 덮개층 상에 SOG 공정을 통해 추가 SOG 층을 적층하는 단계;상기 추가 SOG 층 내 상기 추가 관심 영역을 기초로 결정되는 제 2 추가 마스킹 영역 이외의 영역을 식각하는 단계; 및상기 식각된 추가 SOG 층에 대해 확산 공정을 수행하여 상기 추가 덮개층 내 상기 추가 관심 영역에 대응되는 상기 추가 활성화 영역을 형성하는 단계를 포함하는광 다이오드 제조 방법
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