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기반이 되는 이산화규소/실리콘 이중층; 상기 이산화규소/실리콘 이중층에 도포되는 필름층; 및상기 이산화규소/실리콘 이중층 및 필름층 중 적어도 어느 하나의 층 일면에 형성되는 전극을 포함하는 나노화학센서로, 상기 전극은 필름층에 소스 전극 및 드레인 전극으로 형성되거나, 상기 필름층에 소스 전극이 형성되고, 상기 이중층 하부에 게이트 전극으로 형성되며,상기 필름층은 순수 금속성 또는 반도체성을 갖는 나노 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전용량변화 검지형 나노화학센서
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청구항 1에 있어서, 상기 순수 금속성 또는 반도체성을 갖는 나노 재료는 탄소나노튜브, 그래핀, 나노와이어 및 나노판상구조 소재로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 정전용량변화 검지형 나노화학센서
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청구항 1에 있어서, 상기 전극은 (Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 알루미늄(Al)로 이루어진 금속 소재군으로부터 선택되는 1종 또는 2종인 것을 특징으로 하는 정전용량변화 검지형 나노화학센서
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청구항 1에 있어서, 상기 나노화학센서의 회복시간은 1초 내지 30분인 것을 특징으로 하는 정전용량변화 검지형 나노화학센서
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청구항 4에 있어서, 상기 나노화학센서의 회복시간은 1 내지 5초인 것을 특징으로 하는 정전용량변화 검지형 나노화학센서
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청구항 1에 있어서, 상기 정전용량변화 검지형 나노화학센서는 DMMP(Dimethyl methylphosphonate), GA, GB, GD, VX, 파라티온(Parathion), 말라티온(Malathion), 암모니아(NH3), 불산, 황산, 질산, 아세톤, 에탄올, 메탄올 및 DMF(N,N-dimethylformamide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 기체를 검출하는 것을 특징으로 하는 정전용량변화 검지형 나노화학센서
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청구항 6에 있어서, 상기 정전용량변화 검지형 나노화학센서는 24 ppb 내지 180 ppb 농도의 화학기체를 검출하는 것을 특징으로 하는 정전용량변화 검지형 나노화학센서
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