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나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자를 준비하는 단계;상기 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자를 광이온화(photoionization)하여, 상기 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자를 양전하로 대전하는 단계;상기 양전하로 대전된 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자를 기재(substrate)에 부착시켜, 시드(seed)를 형성하는 단계;상기 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자가 부착된 기재를 열수처리하여, 상기 시드로부터 금속 산화물을 성장시키는 단계를 포함하는 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자는 에어로졸 공정에 의하여 제조된 것인 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자의 평균 직경은 10 nm 내지 200 nm인 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속은 전이금속인 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물은 전이금속 산화물인 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광이온화는 상기 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자에 UV를 조사하여 수행되는 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 전기장을 인가하여, 상기 광이온화시 생성된 전자가 인가된 전기장에 의하여 포집되는 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 양전하로 대전된 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자를 기재에 부착시키는 과정에서, 양전하로 대전된 내부와 절연체 외부로 구성된 배플(baffle) 타입의 전자 걸림턱을 이용하여, 상기 광이온화시 생성된 전자를 포집하고, 상기 양전하로 대전된 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자는 통과되는 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 상온 이하의 온도 범위로 유지되는 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 평판(plate), 섬유(fiber) 또는 망(net)인 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열수처리는 상기 나노 금속 입자 또는 나노 금속 산화물 입자가 부착된 기재를 열수처리조에 투입 후, 60 ℃ 내지 100 ℃의 온도에서 10 분 내지 55 분 동안 열처리하여 수행되는 기판 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 상기 시드로부터 성장된 금속 산화물은 나노-스파이크 타입의 금속 산화물인 기판 구조체의 제조 방법
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기재;상기 기재 위에 형성된 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 시드부(seed);상기 시드부로부터 성장된 금속 산화물로 이루어진 나노 스파이크를 포함하는 기판 구조체
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제 13 항에 있어서,상기 나노 스파이크의 평균 직경은 200 nm 내지 300 nm인 기판 구조체
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제 13 항에 있어서,상기 나노 스파이크의 평균 높이는 20 ㎛ 내지 40 ㎛ 인 기판 구조체
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기재;상기 기재 위에 형성된 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 시드부(seed);상기 시드부로부터 성장된 금속 산화물을 포함하며,상기 금속 산화물의 형상은 계층적 복합구조(hierarchical complex structure)로서, 나노 스파이크 구조, 나노 수지상 구조, 나노 와이어 구조 및 나노 스타 구조 중 적어도 두 종류가 복합적으로 형성되는 기판 구조체
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제 16 항에 있어서,상기 계층적 복합구조로서 금속 산화물의 평균 직경은 10 nm 내지 1000 nm인 기판 구조체
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제 16 항에 있어서,상기 계층적 복합구조로서 금속 산화물의 평균 높이는 50 nm 내지 50 ㎛ 인 기판 구조체
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