| 1 |
1
CIGS 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,a) Cu, In, Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 제1 CIGS 박막층을 기판에 증착시키는 단계;b) Cu, In, Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 상기 단계 a)에서 제1 CIGS 박막층을 증착시킨 기판에 제2 CIGS 박막층을 증착시키는 단계; 및c) Cu, In, Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 상기 단계 b)에서 제2 CIGS 박막층을 증착시킨 기판에 제3 CIGS 박막층을 증착시키는 단계;를 포함하며,상기 단계 a) 내지 단계 c)의 박막을 증착시키는 단계는 단일 공정법(single-stage process)을 이용하는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 CIGS 박막층을 기판에 증착시키는 단계 a)는 Ga/(Ga+In)의 비율(GGI)이 0
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,제3 CIGS 박막층의 밴드갭은 제2 CIGS 박막층의 밴드갭보다는 크고 제1 CIGS 박막층의 밴드갭보다는 작거나 같은 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 단계 a)는 제1 CIGS 박막층이 1
|
| 5 |
5
CIGS 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,단일 공정법(single stage process)을 이용하여 Cu, In, Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 박막층을 기판에 증착시키는 단계를 n번(여기서 n은 2 이상의 자연수) 반복하여 n개의 층으로 구성된 박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 박막층을 기판에 증착시키는 단계는 2 내지 30번 반복하는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 n이 2일 때, n개의 층으로 구성된 박막층 중에서 두 번째의 박막층은 첫 번째 박막층의 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,상기 n이 3일 때, n개의 층으로 구성된 박막층 중에서 두 번째의 박막층은 첫 번째 박막층 및 세 번째 박막층의 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 n이 4 이상일 때, n개의 박막층 중에서, 2번째 층부터 a번째층(a는 1과 n사이의 자연수)의 밴드갭은 당해 층 이전 층의 밴드갭보다 작고, a+1번째 층부터 n 번째층의 밴드갭은 당해 층 이전층의 밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
|
