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기판 상에 양전하로 대전된 액적을 노즐에서 전기분무하여 코팅층을 형성하는 방법에 있어서,양이온 제거부를 상기 코팅층에 접촉시켜 코팅층에 축적된 양전하를 제거하는 단계;를 포함하는, 전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 양이온 제거부는, 철, 스테인리스, 및 구리로 이루어진 금속 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 금속 단자; 및상기 금속 단자 표층에 형성된 양이온 제거 코팅층;을 포함하는 것인,전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제2항에 있어서,상기 양이온 제거 코팅층은, 티타늄 및 그 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 부식 억제제; 금, 은 및 백금족 원소로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 귀금속 물질; 또는 둘 다를 포함하는 것인, 전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅층에 축적된 양전하를 제거하는 단계는, 상기 양이온 제거부를 상기 코팅층에 주기적으로 접촉시키는 것인,전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅층에 축적된 양전하를 제거하는 단계에서,상기 코팅층의 양전하는 상기 코팅층의 표면을 따라 상기 양이온 제거부를 향해 이동하는 것인,전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 고분자 물질, 금속 산화물 및 무기물로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 0
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제7항에 있어서,상기 기판은 두께가 5 ㎛ 이상인 것인,전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 PFSA, PTFE, PMMA, PP, 및 PE로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 다공성 고분자 기판인 것인,전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제9항에 있어서,상기 다공성 고분자 기판의 두께는 50 ㎛ 이하인 것인,전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 노즐의 상기 액적 분사 속도는, 5 ㎕/min 이상인 것인,전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 전기분무하여 코팅층을 형성하는 것은, 80 % RH 이상의 가습 조건에서 수행되는 것인,전기분무 방식을 이용한 기판 코팅 방법
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제1항의 기판 코팅 방법을 이용하여 제조한 것이고,상기 코팅층은 이오노머 및 촉매 물질을 포함하는 것인, 전기분무 방식을 이용하여 형성된 전극
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제13항의 전극을 포함하고, 리튬 이온 전지, 레독스 플로우 전지, 금속 공기 전지, 연료전지 및 슈퍼커패시터로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것인,전기분무 방식을 이용하여 형성된 전극을 포함하는 에너지 저장 소자
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