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하기 화학식 1로 표시되는 화합물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서, R1~4는 서로 독립적으로 수소원자, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 또는 설폰기이다
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1~4가 하기 화학식 2에 나타낸 화학식 중에서 적어도 1개 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2에서, R, R', R” 그리고 R'” 및 Sub1 내지 Sub4는 서로 독립적으로 상기 화학식 1의 R1~4의 정의와 같다
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 아래 화학식 3으로 나타나는 것을 특징으로 하는 화합물:003c#화학식 3003e#상기 화학식 3에서, R1 내지 R4는 상기 화학식 1에서 정의된 것과 같고,n은 1~4의 정수이고,D1 내지 D8은 서로 독립적으로 상기 화학식 2에 나타낸 단위 중 선택된 하나이며, 각 페닐기에 적어도 하나 이상 포함되어야 한다
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 아래 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물:
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애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 형성된 유기층을 포함하고,상기 유기층은 제1항의 화학식 1로 표시되는 화합물을 단독 또는 혼합하여 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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제 5 항에 있어서,상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 엑시톤블로킹층, 발광층, 전자수송보조층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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제 5 항에 있어서,상기 유기층은 상기 발광층 및 엑시톤블로킹층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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8
제 5 항에 있어서,상기 유기층은 상기 애노드 상에 순차적으로 형성된 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택을 둘 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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제 5 항의 유기발광다이오드를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치
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