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티타늄 지지체; 상기 티타늄 지지체 표면에 형성되는 이리듐(Ir) 및 탄탈럼(Ta)을 포함하는 제1층; 및 상기 제1층 표면에 형성되는 주석(Sn) 및 안티모니(Sb)를 포함하는 제2층;을 포함하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극
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제1항에 있어서,상기 티타늄 지지체는 Ti, Ti 산화물, Ti 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극
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제2항에 있어서,상기의 군에서 선택되는 티타늄 지지체는 다공성 구조인 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극
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제3항에 있어서,상기 다공성 구조는 나노튜브 구조인 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극
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제3항에 있어서,상기 다공성 구조는 양극산화에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극
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제3항에 있어서,상기 제1층은 IrTaOx로 형성되고, 상기 x는 4 내지 5의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극
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7
제3항에 있어서,상기 제2층은 Sb-SnO2로 형성되는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극
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티타늄 지지체를 준비하는 단계;상기 티타늄 지지체 표면에 이리듐 및 탄탈럼을 포함하는 제1층을 형성하는 단계; 및상기 제1층의 표면에 주석 및 안티모니를 포함하는 제2층을 형성하는 단계;를 포함하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 티타늄 지지체는 티타늄 기판을 작업 전극으로 하여 양극산화시켜 준비하는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 양극산화는 백금, 금, 은, SUS, 그래핀 중 어느 하나를 카운터 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1층을 형성하는 단계는, H2IrCl6, TaCl5 및 알코올을 포함하는 혼합 용액에 상기 티타늄 지지체를 담가 딥 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 알코올은 에탄올 또는 IPA 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제2층을 형성하는 단계는,상기 제1층에 안티모니를 전착시키는 제1공정; 및상기 전착된 안티모니 위에 주석을 전착시키는 제2공정;을 포함하는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 제1공정은,상기 제1층이 형성된 티타늄 지지체를 (-)극으로 하여 SbCl3 및 에틸렌 글리콜을 포함하는 용액에서 안티모니를 전착시키는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 제2공정은,상기 제1공정에서 안티모니가 형성된 티타늄 지지체를 (-)극으로 하여 SnCl4·H2O 및 에틸렌 글리콜을 포함하는 용액에서 주석 산화물을 전착시키는 것을 특징으로 하는,하이포아염소산 생산을 위한 전극의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 티타늄 지지체가 나노튜브 형상인 경우, 상기 제1층 및 상기 제2층은 상기 나노튜브 형태가 유지되도록 형성함을 특징으로 하는, 하이포아염소산 생산을 위한 전극의 제조방법
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