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소정 크기의 기공을 가진 다공성 텔루르화전이금속(MTex) 박막으로, 상기 M은 니켈, 팔라듐, 구리, 백금, 로듐, 코발트, 망간, 스칸듐, 티타늄, 바나듐, 크롬, 니오븀, 몰리브덴, 철 및 텅스텐에서 선택되는 어느 하나의 전이금속이며,상기 다공성 텔루르화전이금속 박막은 텔루륨층 상에 텔루르화전이금속(MTex)층이 형성된 이중층 구조의 박막을 열처리하여 제조된 것이고, 하기 관계식 1을 만족하는 것인, 다공성 텔루르화전이금속 박막
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제 1항에 있어서,상기 기공은 평균 단축 길이가 3 내지 300 ㎚이고, 평균 장축 길이가 10 내지 1500 ㎚인, 다공성 텔루르화전이금속 박막
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제 2항에 있어서,상기 다공성 텔루르화전이금속 박막의 기공률은 30 내지 60%인, 다공성 텔루르화전이금속 박막
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 다공성 텔루르화전이금속 박막은 면저항이 0
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a) 기판 상에 텔루륨(Te)층을 형성하는 단계;b) 상기 텔루륨층 상에 텔루르화전이금속(MTex)층을 형성하여 이중층 구조의 박막을 제조하는 단계; 및c) 상기 이중층 구조의 박막을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 M은 니켈, 팔라듐, 구리, 백금, 로듐, 코발트, 망간, 스칸듐, 티타늄, 바나듐, 크롬, 니오븀, 몰리브덴, 철 및 텅스텐에서 선택되는 어느 하나의 전이금속인, 다공성 텔루르화전이금속 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 텔루륨(Te)층의 두께는 1 내지 30 ㎚이며, 상기 텔루르화전이금속(MTex)층의 두께는 1 내지 50 ㎚인, 다공성 텔루르화전이금속 박막의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 텔루륨(Te)층:텔루르화전이금속(MTex)층의 두께비는 1 : 1 내지 5인, 다공성 텔루르화전이금속 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 텔루륨(Te)층은 텔루륨 타겟에 30 내지 100 W의 전력을 인가하여 DC 스퍼터링 증착된 것인, 다공성 텔루르화전이금속 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 텔루르화전이금속(MTex)층은 텔루르화전이금속 타겟에 50 내지 200 W의 전력을 인가하여 RF 스퍼터링 증착된 것인, 다공성 텔루르화전이금속 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 c)단계의 열처리는 150 내지 300℃에서 5 내지 30분 동안 수행되는, 다공성 텔루르화전이금속 박막의 제조방법
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제1항, 제2항, 제3항 및 제5항에서 선택되는 어느 한 항의 다공성 텔루르화전이금속 박막을 포함하는 투명전극
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