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자외선 광검출기 구조체의 베이스를 이루는 기판;상기 기판에 2가 양이온 금속 원소와 3가 양이온 금속원소의 반응물을 성장시켜 형성된 층상 이중 수산화물 층인 M(Ⅱ)M(Ⅲ)-LDH(Layered Double Hydroxide) 층; 및상기 M(Ⅱ)M(Ⅲ)-LDH 층 상에 형성된 소정 패턴의 전극을 포함하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기
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제1항에 있어서,상기 층상 이중 수산화물 층인 M(Ⅱ)M(Ⅲ)-LDH(Layered Double Hydroxide) 층은 [M(Ⅱ)1-x M(Ⅲ)x(OH)2]x+ [An-x/n·yH2O]x-의 화학적 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기
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제2항에 있어서,상기 M(Ⅱ)(2가 양이온을 갖는 금속 원소)는 Zn, Mg, Co, Cd, Ni, V, Fe, Ca, Mn, Cu 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 M(Ⅲ)(3가 양이온을 갖는 금속 원소)는 Al, Ti, Fe, Cr, Co 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 A(n가형 음이온)는 NO3-, CO32-, Cl-, CH3COO- 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기
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제1항에 있어서,상기 전극은 IDE(Inter Digital Electrode) 형태의 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기
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a) 기판 상에 2가 양이온을 갖는 금속 원소 층 또는 3가 양이온을 갖는 금속 원소 층을 형성하는 단계; b) n-가형 음이온을 포함하는 물질과 HMTA(hexamethylenetetramine)를 물에 혼합하여 자외선 광검출기 제조를 위한 중간 반응물을 생성하기 위한 수용액을 제조하는 단계;c) 상기 수용액을 반응조에 채우고, 상기 2가 또는 3가 금속 원소 층이 형성된 기판을 반응조에 투입하여 기판에 2가 양이온 금속 원소와 3가 양이온 금속원소의 반응물을 성장시켜 층상 이중 수산화물 층인 M(Ⅱ)M(Ⅲ)-LDH(Layered Double Hydroxide) 층을 형성하는 단계; 및 d) 상기 M(Ⅱ)M(Ⅲ)-LDH 층에 소정 패턴의 전극을 형성하여 자외선 광검출기 소자를 제작하는 단계를 포함하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 단계 c)에서 상기 층상 이중 수산화물 층인 M(Ⅱ)M(Ⅲ)-LDH(Layered Double Hydroxide) 층은 [M(Ⅱ)1-x M(Ⅲ)x(OH)2]x+ [An-x/n·yH2O]x-의 화학적 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 M(Ⅱ)(2가 양이온을 갖는 금속 원소)는 Zn, Mg, Co, Cd, Ni, V, Fe, Ca, Mn, Cu 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 M(Ⅲ)(3가 양이온을 갖는 금속 원소)는 Al, Ti, Fe, Cr, Co 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 A(n가형 음이온)는 NO3-, CO32-, Cl-, CH3COO- 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 단계 c)에서 기판에 2가 양이온 금속 원소와 3가 양이온 금속원소의 반응물을 성장시켜 층상 이중 수산화물 층인 M(Ⅱ)M(Ⅲ)-LDH(Layered Double Hydroxide) 층을 형성하기 위해, 저온수열합성법, 졸-겔법, 수열합성법, 알콕사이드법, 스퍼터링법, 증발증착법, 화학기상증착법 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 단계 d)에서 소정 패턴의 전극을 형성하여 자외선 광검출기 소자를 제작함에 있어서, IDE(Inter Digital Electrode) 형태의 패턴을 만들어 MSM(metal-semiconductor-metal) 형태, 포토컨덕터(photoconductor) 형태, 쇼트키 장벽 (Schottky barrier) 형태, p-n 접합 형태, p-i-n 접합 형태 중 어느 하나의 형태로 광검출기 소자를 제작하는 것을 특징으로 하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 전극은 Al, Ti, Cr, Cu, Ag, In, Sn, Pt, Ni, Au, W, Ta 중 어느 하나의 단일 원소로 이루어진 금속재질로 구성되거나, 이들 중에서 선택된 적어도 두 개의 원소로 이루어진 합금재질로 구성된 것을 특징으로 하는 층상 이중 수산화물을 이용한 자외선 광검출기의 제조방법
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