| 1 |
1
폴리염화비닐수지 용액을 생성하는 단계;폴리에텔에텔케톤(PEEK: Polyetheretherketone), 아연(Zn), 산화알루미늄(Al2O3), 산화텅스텐(WO3), 질화붕소(BN), 바륨설페이트(BaSO4) 및 파라핀를 포함하는 첨가제를 상기 폴리염화비닐수지 용액에 첨가한 차폐용 혼합물을 생성하는 단계;상기 차폐용 혼합물을 성형틀에 주입 및 건조하여 다층구조의 제1 차폐블록을 형성하는 단계; 및건조된 상기 제1 차폐블록을 뒤집어서 상기 성형틀에 재배치한 후에, 상기 제1 차폐블록 상에 상기 차폐용 혼합물을 주입 및 건조하여 다층구조의 제2 차폐블록을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 차폐블록의 제조방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 폴리염화비닐수지 용액을 생성하는 단계는,디메틸포름아미드(DMF: dimethylformamide)와 톨루엔(toluene)이 2 대 1의 비율로 혼합된 용매에 폴리염화비닐수지를 투입하고, 제1 시간 이상 교반하여 상기 폴리염화비닐수지 용액을 생성하는 것을 특징으로 하는 방사선 차폐블록의 제조방법
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 차폐용 혼합물을 생성하는 단계는,상기 폴리염화비닐수지 용액에 상기 폴리에텔에텔케톤(PEEK)을 첨가 및 교반하여 상기 폴리에텔에텔케톤(PEEK)을 상기 폴리염화비닐수지 용액에 분산시키고, 상기 폴리에텔에텔케톤(PEEK)이 분산된 상기 폴리염화비닐수지 용액에 상기 아연(Zn), 상기 산화알루미늄(Al2O3), 상기 산화텅스텐(WO3), 상기 질화붕소(BN), 상기 바륨설페이트(BaSO4) 및 상기 파라핀을 첨가 및 교반하여 상기 상기 폴리염화비닐수지 용액에 분산시키는 것을 특징으로 하는 방사선 차폐블록의 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 차폐용 혼합물을 생성한 후에, 생성된 상기 차폐용 혼합물에 포함된 공기를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 차폐블록의 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 차폐용 혼합물에 포함된 공기를 제거하는 단계는,진공 챔버를 이용하여 상기 차폐용 혼합물에 포함된 공기를 제거하되,상기 진공 챔버의 압력 조건은 0
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 제2 차폐블록을 형성한 후에, 상기 제1 차폐블록 또는 상기 제2 차폐블록의 주면에 압력을 가하여 상기 제1 차폐블록 및 상기 제2 차폐블록을 압착시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 차폐블록의 제조방법
|
| 7 |
7
폴리염화비닐수지를 주요 성분으로 하는 제1 메트릭스층;상기 제1 메트릭스층의 상부에 형성된 폴리에텔에텔케톤(PEEK: Polyetheretherketone), 아연(Zn), 산화알루미늄(Al2O3), 산화텅스텐(WO3), 질화붕소(BN), 바륨설페이트(BaSO4) 및 파라핀을 포함하는 제1 차폐층;상기 제1 차폐층의 상부에 형성되되, 상기 제1 메트릭스층 및 상기 제1 차폐층의 건조 후에 적층되어 형성된 상기 폴리에텔에텔케톤(PEEK: Polyetheretherketone), 상기 아연(Zn), 상기 산화알루미늄(Al2O3), 상기 산화텅스텐(WO3), 상기 질화붕소(BN), 상기 바륨설페이트(BaSO4) 및 상기 파라핀을 포함하는 제2 차폐층; 및상기 제2 차폐층의 상부에 형성되되, 상기 폴리염화비닐수지를 주요성분으로 하는 제2 메트릭스층을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 차폐블록
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 제1 메트릭스층과 상기 제1 차폐층은 제1 차폐블록의 형성 과정에서 상기 폴리에텔에텔케톤(PEEK: Polyetheretherketone), 상기 아연(Zn), 상기 산화알루미늄(Al2O3), 상기 산화텅스텐(WO3), 상기 질화붕소(BN), 상기 바륨설페이트(BaSO4) 및 상기 파라핀를 포함하는 첨가제의 침전에 따른 층분리에 의해 형성된 것이고,상기 제2 차폐층과 상기 제2 메트릭스층은 제2 차폐블록이 상기 제1 차폐블록의 상부에 형성되는 과정에서 상기 첨가제의 침전에 따른 층분리에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 방사선 차폐블록
|
