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피접합체 간 구리 대 구리(Cu-to-Cu) 본딩을 위한 구리 본딩 방법에 있어서,제1피접합체 상에 형성된 제1구리층의 표면을 세척하고, 활성화시키는 제1플라즈마 처리 단계;상기 활성화된 제1구리층의 산화를 방지하기 위해 상기 제1구리층의 표면에 Cu4N으로 이루어진 산화방지층을 형성하는 제2플라즈마 처리 단계;상기 산화방지층이 형성된 제1구리층과, 상기 제1피접합체에 접합하고자 하는 제2피접합체 상에 형성된 제2구리층을 정렬하는 단계;상기 제1피접합체와 제2피접합체를 열압착하여, 상기 산화방지층을 열분해시켜 상기 제1피접합체와 상기 제2피접합체 간의 접합부에서 구리 대 구리 본딩이 이루어지는 단계;를 포함하며,상기 제1플라즈마 처리 단계는,상기 제1구리층 표면을 활성화시킴으로써, 상기 제1구리층의 표면에 상기 구리 본딩에 필요한 산화방지층의 생성을 유도하며,상기 산화방지층은 상기 열압착 공정에서 상기 제1구리층의 표면에 구리만 남도록 열분해되는 것으로,상기 피접합체 간 접합부에는 적어도 하나 이상의 구리 대 구리 접합 영역이 형성되고, 상기 접합 영역 외에는 상기 산화방지층이 형성된 것을 특징으로 하는 2단계 플라즈마 처리에 의한 구리 본딩 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1플라즈마 처리 단계는,불활성기체를 이용한 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 2단계 플라즈마 처리에 의한 구리 본딩 방법
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제 2항에 있어서, 상기 제2플라즈마 처리 단계는,질소를 이용한 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 2단계 플라즈마 처리에 의한 구리 본딩 방법
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제 1항에 있어서, 상기 Cu4N은,열분해 온도 100~470℃에서 구리와 질소로 분해되는 것을 특징으로 하는 2단계 플라즈마 처리에 의한 구리 본딩 방법
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제1플라즈마 처리를 통해 제1피접합체 상에 형성된 제1구리층의 표면을 세척하고 활성화시키며, 제2플라즈마 처리를 통해 상기 제1구리층의 표면에 산화방지층을 형성하고, 상기 제1피접합체 및 제2피접합체간 열압착하여 상기 산화방지층을 열분해시켜 구리 대 구리(Cu-to-Cu) 본딩이 이루어진 접합체에 있어서,상기 제1구리층 표면을 활성화시켜 상기 제1구리층의 표면에 상기 구리 대 구리 본딩에 필요한 Cu4N으로 이루어진 산화방지층의 생성을 유도하며,상기 산화방지층은 상기 열압착 공정에서 상기 제1구리층의 표면에 구리만 남도록 열분해되는 것으로,상기 피접합체 간 접합부에 적어도 하나 이상의 구리 대 구리 접합 영역이 형성되고, 상기 접합 영역 외에는 상기 산화방지층이 형성된 것을 특징으로 하는 2단계 플라즈마 처리에 의한 구리 본딩이 이루어진 접합체
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제 5항에 있어서, 상기 제1플라즈마 처리는,불활성기체를 이용하는 것을 특징으로 하는 2단계 플라즈마 처리에 의한 구리 본딩이 이루어진 접합체
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제 6항에 있어서, 상기 제2플라즈마 처리는,질소를 이용하는 것을 특징으로 하는 2단계 플라즈마 처리에 의한 구리 본딩이 이루어진 접합체
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제 5항에 있어서, 상기 Cu4N은,열분해 온도 100~470℃에서 구리와 질소로 분해되는 것을 특징으로 하는 2단계 플라즈마 처리에 의한 구리 본딩이 이루어진 접합체
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