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비산화물 기판;상기 비산화물 기판 상의 실리콘계 본드 코팅층;상기 본드 코팅층 상의 SiC 입자 또는 금속 입자가 내부에 형성된 A2Si2O7을 포함하는 중간 코팅층;상기 중간 코팅층 상의 A2SiO5를 포함하는 탑 코팅층을 포함하고,상기 A는 Y 또는 희토류 원소 중 어느 하나인,환경 차폐 코팅층을 포함한 비산화물 기판
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제 1 항에 있어서,상기 비산화물 기판은 실리콘계 비산화물 기판인,환경 차폐 코팅층을 포함한 비산화물 기판
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제 1 항에 있어서,상기 금속은 Ti 또는 Mo인,환경 차폐 코팅층을 포함한 비산화물 기판
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제 1 항에 있어서,상기 중간 코팅층은 열분사형 코팅에 의해 A2Si2O7을 코팅한 이후 포어 또는 크랙을 통해 액상 습식 코팅에 의해 SiC 또는 금속을 주입하여 액상 치밀화를 이룬 형태인,환경 차폐 코팅층을 포함한 비산화물 기판
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제 4 항에 있어서,상기 SiC는 염 또는 고분자 형태로 주입되는,환경 차폐 코팅층을 포함한 비산화물 기판
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제 1 항에 있어서,상기 희토류 원소는 Y 또는 란타넘족 희토류 원소인,환경 차폐 코팅층을 포함한 비산화물 기판
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제 6 항에 있어서,상기 란타넘족 희토류 원소는 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 인,환경 차폐 코팅층을 포함한 비산화물 기판
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제 1 항에 있어서,상기 비산화물 기판은 1400℃ 이상의 온도에서 사용이 가능한,환경 차폐 코팅층을 포함한 비산화물 기판
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비산화물 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 실리콘계 본드 코팅층을 형성하는 단계;상기 본드 코팅층 상에 SiC 입자 또는 금속 입자가 내부에 형성된 A2Si2O7을 포함하는 중간 코팅층을 형성하는 단계;상기 중간 코팅층 상의 A2SiO5를 포함하는 탑 코팅층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 A는 Y 또는 희토류 원소 중 어느 하나인,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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제 9 항에 있어서,상기 비산화물 기판은 실리콘계 비산화물 기판인,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속은 Ti 또는 Mo인,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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제 9 항에 있어서,상기 중간 코팅층을 형성하는 단계는,열분사형 코팅에 의해 A2Si2O7을 코팅하는 단계; 및포어 또는 크랙을 통해 액상 습식 코팅에 의해 SiC 또는 금속을 주입하여 액상 치밀화를 형성하는 단계를 포함하는,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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제 12 항에 있어서,상기 SiC는 염 또는 고분자 형태로 주입되는,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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제 12 항에 있어서,상기 열분사형 코팅은 서스펜션 플라즈마 스프레이(SPS: Suspension Plasma Spray) 또는 대기 플라즈마 스프레이(APS: Air Plasma Spray)로 이루어지는,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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제 9 항에 있어서,상기 희토류 원소는 Y 또는 란타넘족 희토류 원소인,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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제 15 항에 있어서,상기 란타넘족 희토류 원소는 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 인,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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제 9 항에 있어서,상기 비산화물 기판은 1400℃ 이상의 온도에서 사용이 가능한,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탑 코팅층은 A2Si2O7을 추가로 포함하는,환경 차폐 코팅층을 포함한 비산화물 기판
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제 9 항에 있어서,상기 탑 코팅층은 A2Si2O7을 추가로 포함하는,비산화물 기판에 환경 차폐 코팅층을 형성하는 방법
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