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(a) 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; (b) 상기 버퍼층 상에 에피 성장으로 알파 갈륨옥사이드 박막을 성장시키면서 도핑 처리를 실시하여 도핑층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 도핑층의 형성이 종료됨과 동시에 상온에 노출되는 것 없이 연속적으로 도핑 가스 없이 N2 또는 Ar 가스 분위기에서 어닐링하는 인-시츄 어닐링(in-situ annealing)을 수행하는 단계;를 포함하며, 상기 (b) 단계에서, 상기 도핑 온도는 400 ~ 800℃이고, 상기 도핑 처리는 SiH4 2,000ppm 가스를 이용하여 5 ~ 20sccm을 공급하며, 상기 (c) 단계에서, 상기 인-시츄 어닐링은 상기 도핑 처리와 동일한 N2 또는 Ar 가스 분위기에서, 400 ~ 800℃ 조건으로 1 ~ 20분 동안 실시하며, 상기 (c) 단계 이후, 상기 알파 갈륨옥사이드 박막은 3 ~ 50 cm2/V·s의 캐리어 이동도를 갖는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 상기 알파 갈륨옥사이드 박막과 이종 재질이 이용되는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 기판은 β-Ga2O3, 사파이어 및 에피텍셜 성장 가능한 이종 기판 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 에피 성장은 N2 또는 Ar 가스 분위기에서 450 ~ 650℃의 소스온도 및 400 ~ 800℃의 성장온도 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법
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(a) 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; (b) 상기 버퍼층 상에 에피 성장으로 알파 갈륨옥사이드 박막을 1차 성장하는 단계; (c) 상기 1차 성장된 알파 갈륨옥사이드 박막을 2차 성장하면서 도핑 처리를 실시하여 도핑층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 도핑층의 형성이 종료됨과 동시에 상온에 노출되는 것 없이 연속적으로 도핑 가스 없이 N2 또는 Ar 가스 분위기에서 어닐링하는 인-시츄 어닐링(in-situ annealing)을 수행하는 단계;를 포함하며, 상기 (c) 단계에서, 상기 도핑 온도는 400 ~ 800℃이고, 상기 도핑 처리는 SiH4 2,000ppm 가스를 이용하여 5 ~ 20sccm을 공급하며, 상기 (d) 단계에서, 상기 인-시츄 어닐링은 상기 도핑 처리와 동일한 N2 또는 Ar 가스 분위기에서, 400 ~ 800℃ 조건으로 1 ~ 20분 동안 실시하며, 상기 (d) 단계 이후, 상기 알파 갈륨옥사이드 박막은 3 ~ 50 cm2/V·s의 캐리어 이동도를 갖는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 에피 성장은 N2 또는 Ar 가스 분위기에서 450 ~ 650℃의 소스온도 및 400 ~ 800℃의 성장온도 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 도핑 처리는 도핑되지 않은 알파 갈륨옥사이드 박막의 성장 조건과 동일한 조건에서 도핑 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법
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(a) 알파 갈륨옥사이드 박막과 이종 재질의 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; (b) 상기 버퍼층 상에 400 ~ 800℃의 성장온도 조건으로 에피 성장시켜 알파 갈륨옥사이드 박막을 1차 성장하는 단계; (c) 상기 1차 성장된 알파 갈륨옥사이드 박막을 2차 성장하면서, N2 또는 Ar 가스 분위기에서 400 ~ 800℃의 도핑온도 조건으로 도핑 처리를 실시하여 도핑층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 도핑층의 형성이 종료됨과 동시에 상온에 노출되는 것 없이 연속적으로 도핑 가스 없이 N2 또는 Ar 가스 분위기에서 400 ~ 800℃ 조건으로 1 ~ 20분 동안 인-시츄 어닐링(in-situ annealing)을 수행하는 단계;를 포함하며, 상기 (c) 단계에서, 상기 도핑 처리는 SiH4 2,000ppm 가스를 이용하여 5 ~ 20sccm을 공급하며, 상기 (d) 단계 이후, 상기 알파 갈륨옥사이드 박막은 3 ~ 50 cm2/V·s의 캐리어 이동도를 갖는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 기술을 이용한 전력반도체용 갈륨옥사이드 박막 제조 방법
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