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5V급 스피넬 구조의 양극활물질, 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021002704
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 아래의 003c#화학식 1003e#로 표시되고, 상기 003c#화학식 1003e#에서, Mn의 산화가수는 +3 및 +4를 포함하고, x003e#0, y003e#0, 0003c#β003c#4, 0003c#α003c#0.03, M1은 산화가수가 +5 또는 +6인 전이금속이고, M2는 산화가수가 -1인 원소이며, Mn의 평균 산화가수는 3.5 내지 4미만이되 상기 Mn의 평균 산화가수는 α 값 또는 β 값이 증가함에 따라 감소하고, x+y=2인 것을 포함하는 5V급 스피넬 구조의 양극활물질에 관한 것이다. 003c#화학식 1003e# LiNixMny-αM1αO4-βM2β
Int. CL H01M 4/525 (2010.01.01) H01M 4/505 (2010.01.01) C01G 53/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200050315 (2020.04.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0132688 (2020.11.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190058233   |   2019.05.17
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.04.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 선양국 서울특별시 강남구
2 김운혁 서울특별시 성동구
3 유태연 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최훈식 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동) ****호(강한국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0427001-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아래의 003c#화학식 1003e#로 표시되고,상기 003c#화학식 1003e#에서, Mn의 산화가수는 +3 및 +4를 포함하고, x003e#0, y003e#0, 0003c#β003c#4, 0003c#α003c#0
2 2
제1항에 있어서,0003c#α003c#2이고, 0003c#β003c#2이고,상기 Mn은 산화가수가 +3과 +4인 것의 총량에 대해서, 상기 산화가수가 +3인 Mn은 0
3 3
제1항에 있어서, Mn의 평균산화가수 A는 아래의 003c#수학식 1003e#가 같이 계산되고, 003c#수학식 1003e# 003c#수학식 1003e#에서 B는 M의 산화가수인 것을 포함하는 5V급 스피넬 구조의 양극활물질
4 4
제1항에 있어서,상기 M1은 산화가수가 +6인 전이금속인 경우, 상기 α 값은 상기 β 값에 비하여 상기 Mn의 평균 산화가수의 변화량에 더 크게 영향을 미치는 것을 포함하는 5V급 스피넬 구조의 양극활물질
5 5
제1항에 있어서, 003c#화학식 1003e#에서, 0003c#α≤0
6 6
제1항에 있어서, 003c#화학식 1003e#에서, M1은 Nb, Mo, Ta, 및 W에서 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 M2는 F 또는 Cl인 5V급 스피넬 구조의 양극활물질
7 7
니켈 및 망간을 포함하는 전이금속 수용액, 및 M1을 포함하는 도핑금속 수용액을 준비하는 단계;상기 전이금속 수용액, 상기 도핑금속 수용액, 및 암모니아 용액을 반응기에 공급하여, 니켈 및 망간을 포함하는 전이금속 수산화물에 상기 M1이 도핑된 양극활물질 전구체를 제조하는 단계; 및상기 양극활물질 전구체, 리튬염, 및 M2를 포함하는 도핑소스를 볼밀을 이용하여 건식으로 혼합하고 소성하여, 니켈, 망간, 및 리튬 산화물에 상기 M1 및 M2가 도핑된 스피넬 구조의 양극활물질을 제조하는 단계를 포함하고,상기 도핑금속 수용액을 준비하는 단계는, 수산화나트륨 용액을 준비하는 단계; 및상기 수산화나트륨 용액에 M1을 포함하는 분말을 용해시키는 단계를 포함하고, M1은 산화가수가 +5 또는 +6인 전이금속이고, M2는 산화가수가 -1인 원소인 것을 포함하는 5V급 스피넬 구조의 양극활물질의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 양극활물질은, 아래의 003c#화학식 1003e#로 표시되는 것을 포함하고,상기 003c#화학식 1003e#에서, Mn의 산화가수는 +3 및 +4를 포함하고, x003e#0, y003e#0, 0003c#β003c#4, 0003c#α003c#0
9 9
제7 항에 있어서, 상기 도핑금속 수용액 중의 M1의 농도 및 M2를 포함하는 상기 도핑소스의 혼합 농도에 따라서, 상기 양극활물질 내에서 상기 M1의 농도 및 M2의 농도가 제어되고, 상기 양극활물질 내에서 상기 M1의 농도 및 M2의 농도에 따라서, 상기 양극활물질에서 망간의 평균 산화가수가 제어되는 것을 포함하는 5V급 양극활물질의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한양대학교 산학협력 글로벌프론티어지원(R＆D) 인터페이스 최적화 맞춤형 rod-shape 이차전지소재 원천 및 상용화기술 개발