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산화물 패턴층이 형성된 기판에 양이온성 고분자를 코팅하는 단계;양이온성 고분자가 코팅된 기판에 세포를 배양하여 세포를 부착하는 단계; 및상대전극이 있는 전해액 내에서 상기 세포가 부착된 기판을 작업전극으로 사용하고, 상기 작업전극에 양의 전압을 인가하여, 상기 세포가 부착된 기판을 전기화학적으로 산화시켜 세포 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하며,상기 세포 패턴을 형성하는 단계는, 산화물 패턴층에 부착된 세포가 전압 인가에 의하여 사멸되어, 기판에 세포 패턴이 형성되며,전해액은 세포배양배지를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기화학반응을 이용한 세포 패터닝 방법
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제1항에 있어서,산화물 패턴층이 형성된 기판은, 산화물층이 적층된 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계; 포토레지스트 층에 노광 및 현상 공정을 진행하여, 산화물층의 일부 영역이 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및포토레지스트 패턴을 마스크로 산화물층을 식각하는 단계; 에 의해 제조되는 것인, 전기화학반응을 이용한 세포 패터닝 방법
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제1항에 있어서,산화물 패턴층은, 불소 주석 산화물(Fluorine-doped Tin Oxide, FTO), 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide; IZO), 알루미늄 아연 산화물(aluminum zinc oxide; AZO), 아연 주석 산화물(zinc tin oxide; ZTO), 갈륨 아연 산화물(gallium zinc oxide; GZO), 안티모니 주석 산화물(antimony tin oxide; ATO), A-IGZO(In2O3:Ga2O3:ZnO) 이산화티탄(TiO2), 산화인듐(In2O3), 산화아연(ZnO) 및 산화주석(SnO2)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 전도성 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기화학반응을 이용한 세포 패터닝 방법
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제1항에 있어서,양이온성 고분자는, 폴리-L-라이신(poly-L-lysine), 폴리-D-라이신(poly-D-lysine), 폴리-L-오르니틴(poly-l-ornithine), 폴리에틸렌이민 (polyethyleneimine, PEI), 키토산(chitosan) 및 폴리아미노에스터(polyaminoester)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전기화학반응을 이용한 세포 패터닝 방법
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제1항에 있어서,양이온성 고분자가 코팅된 기판에 배양되는 세포는, 부착세포인 것을 특징으로 하는 세포 패터닝 방법
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제1항에 있어서,세포배양배지는, DMEM (Dulbecco's modified Eagle's medium), MEM(Minimum essential medium), RPMI1640 (Rosewell Park Memorial Institute), BME (Basal medium Eagle's) 및 IMDM (Iscove's Modified Dulbecco's medium) 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전기화학반응을 이용한 세포 패터닝 방법
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제6항에 있어서,세포배양배지는 FBS(fetal bovine serum)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학반응을 이용한 세포 패터닝 방법
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제1항에 있어서,세포가 부착된 기판에 전압을 인가하는 단계는, 1 내지 20 V 의 전압 범위 내에서, 1 초 내지 10 분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 전기화학반응을 이용한 세포 패터닝 방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 세포 패터닝 방법에 의한 세포 패턴을 갖는 세포 패턴 기판; 및세포 패턴 기판의 일면에 위치하는 마이크로 플루이딕 칩(micro fluidic chip)을 포함하는 약물 스크리닝 장치
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제9항에 있어서,마이크로 플루이딕 칩의 일측에 시료 주입을 위해 형성되는 유체 주입부; 시료 주입부의 타측에 형성되는 유체 배출구; 및상기 유체 주입부에서부터 유체 배출구가지 연통하여 마이크로 플루이딕 칩 내부에 형성되는 마이크로 채널을 포함하며,상기 마이크로 채널은 세포 패턴 기판의 세포 패턴과 접촉되는 것을 특징으로 하는 약물 스크리닝 장치
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