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기판 상에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치된 층간 절연막, 상기 층간 절연막에 배치된 컨택홀을 통해 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결된 제1 저항막; 및 상기 제1 저항막과 동일 층상에서 이격 배치되며 상기 컨택홀을 통해 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결된 제2 저항막을 포함하는 측정부; 및상기 측정부와 연결되는 감지부를 포함하고,상기 제1 저항막 및 상기 제2 저항막 사이에 배치된 상기 게이트 전극과 연결된 확장 게이트 상부에 접촉되는 생리 물질에 의한 상기 게이트 전극의 문턱전압 변화를 측정하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 저항막 및 상기 제2 저항막은 서로 상이한 선저항을 갖도록 형성되며,상기 제1 저항막과 상기 제2 저항막의 저항비에 따라 감지도가 변화하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제2항에 있어서,상기 제1 저항막 및 상기 제2 저항막 중 적어도 하나는 선 형상, 지그재그 형상, 사인파 형상, 펄스파 형상 중 적어도 어느 하나의 형상을 갖는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제1항에 있어서,상기 생리 물질은 용액 및 가스 중 적어도 어느 하나의 형태를 갖으며, 수소 이온을 포함하고,상기 수소 이온과 상기 게이트 전극 사이의 전계 형성에 기초하여 상기 게이트 전극의 전압 변화를 측정하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 저항막 및 상기 제2 저항막 상에는 상기 제1 저항막 및 상기 제2 저항막의 적어도 일부 영역과 중첩하도록 배치되는 복수의 터치 패드를 더 포함하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 일 방향으로 연장되어 배치되는 제1 영역 및 상기 일 방향과 상이한 타 방향으로 연장되어 배치되는 제2 영역을 포함하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제6항에 있어서,상기 기판과 상기 제1 영역 사이에 배치되는 게이트 절연막 및 상기 기판과 상기 제2 영역 사이에 배치되는 게이트 절연막의 폭은 서로 상이한,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제1항에 있어서,상기 감지부는상기 게이트 전극에 연결되는 금속 전극;상기 금속 전극 상에 배치되며 이온을 감지하는 감지막; 및상기 감지막 상에 배치되며 감지 용액을 담을 수 있는 챔버를 포함하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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기판 및 상기 기판 상에 배치되고 서로 상이한 방향으로 연장된 두 영역을 포함하는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에서 서로 동일한 층에 배치되고 서로 상이한 선저항을 갖는 제1 게이트 저항막 및 제2 게이트 저항막;상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극 상에 층간 절연막 및상기 제1 게이트 저항막 및 상기 제2 게이트 저항막 상에는 상기 제1 게이트 저항막 및 상기 제2 게이트 저항막의 적어도 일부 영역과 중첩하도록 배치되는 복수의 금속 패드를 포함하고,상기 제1 게이트 저항막 및 상기 제2 게이트 저항막 중 어느 하나는 보상 패턴을 포함하며, 상기 제1 게이트 저항막의 저항비는 감지도 증폭을 위해 상기 제2 게이트 저항막의 저항비의 적어도 두 배인,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제9항에 있어서,상기 저항 보상 패턴은 선 형상, 지그재그 형상, 사인파 형상, 펄스파 형상 중 적어도 어느 하나의 형상을 갖는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제9항에 있어서,상기 제1 게이트 저항막 및 상기 제2 게이트 저항막 사이에 배치된 상기 게이트 전극의 일 영역 상부에 접촉하는 시료로부터 상기 게이트 전극의 전압 변화를 측정하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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제11항에 있어서,상기 전압 변화는,상기 시료에 포함된 수소 이온을 이용하여 상기 수소 이온과 상기 게이트 전극 사이의 전계 형성에 기초하여 측정되고,상기 시료는 용액 및 가스 중 적어도 어느 하나의 형태를 갖는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서
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기판 상에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 제1 게이트 전극과 동일한 층에 상기 제1 게이트 전극으로부터 연장된 제2 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 및상기 층간 절연막에 배치된 컨택홀을 통해 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 게이트 저항막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 복수의 게이트 저항막은 상기 제2 게이트 전극의 일부 영역과 중첩되도록 형성되며, 서로 상이한 선저항을 갖는 컨트롤 게이트 저항막 및 센싱 게이트 저항막을 포함하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 컨트롤 게이트 저항막의 적어도 일부 영역과 중첩하도록 제1 금속 패드를 형성하는 단계; 및상기 센싱 게이트 저항막의 적어도 일부 영역과 중첩하도록 제2 금속 패드를 형성하는 단계를 포함하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 컨트롤 게이트 저항막의 저항에 기초하여 상기 컨트롤 게이트 저항막 및 상기 센싱 게이트 저항막의 저항비는 적어도 2:1인,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 컨트롤 게이트 저항막은 지그재그 형상, 사인파 형상, 펄스파 형상 중 적어도 어느 하나의 형상을 갖는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 제2 게이트 전극은 상기 제1 게이트 전극이 연장된 방향과 상이한 방향으로 연장되도록 형성되고, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극을 포함하는 게이트 전극은 T자 형상을 갖는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 기판과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치되는 게이트 절연막은 상기 제1 게이트 전극의 가로폭과 대응하도록 패터닝하고, 상기 기판과 상기 제2 게이트 전극 사이에 배치되는 게이트 절연막은 상기 제1 게이트 전극 하부에 배치된 상기 게이트 절연막의 폭보다 넓은,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 컨트롤 게이트 저항막과 상기 센싱 게이트 저항막을 기초로 증폭인자를 산출하고, 상기 증폭인자는 하기 수학식에 의해 산출되는,(수학식)저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 컨트롤 게이트 저항막은 상기 증폭인자를 증가시키기 위해 비저항이 큰 물질을 포함하고, 상기 센싱 게이트 저항막 저항막은 상기 증폭인자를 증가시키기 위해 비저항이 작은 물질을 포함하는,저항형 코플래너 구조의 이온전계효과 트랜지스터 기반 고성능 바이오 센서의 제조 방법
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