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스위칭층 형성시 진공 장비를 사용하지 않는 저온 용액 공정에 기반한 유연 저항 변화 메모리의 제조 방법에 있어서,유연층을 형성하는 단계;상기 유연층에 제1 전극을 증착하는 단계;상기 제1 전극에 산화물 용액을 도포하고 열처리하여 스위칭층을 형성하는 단계; 및상기 스위칭층에 제2 전극을 증착하는 단계를 포함하며,상기 스위칭층을 형성하는 단계는, 도포된 산화물 용액을 90% 내지 99
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제1항에 있어서,상기 유연층을 형성하는 단계는,희생 기판을 초음파 세척하고 자외선 처리하여 상기 희생 기판을 친수화하고, 친수화된 희생 기판에 유연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정에 기반한 유연 저항 변화 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스위칭층을 형성하는 단계는, 상기 유연층 및 상기 제1 전극 중에서 적어도 하나를 자외선 처리하여 친수화하고, 친수화된 표면에 산화물 용액을 도포하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정에 기반한 유연 저항 변화 메모리의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 희생 기판과 상기 유연층을 분리하는 단계를 추가로 포함하는 저온 용액 공정에 기반한 유연 저항 변화 메모리의 제조 방법
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스위칭층 형성시 진공 장비를 사용하지 않는 저온 용액 공정에 기반하여 형성된 유연 저항 변화 메모리에 있어서,산화물 용액을 산소 분위기에서 저온 열처리하여 형성된 스위칭층; 상기 스위칭층에 연결된 제1 전극; 및상기 스위칭층에 연결된 제2 전극을 포함하며,상기 스위칭층은 상기 산화물 용액을 90% 내지 99
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제6항에 있어서,상기 스위칭층은 하이 K 유전체를 포함하거나 ZrO2, Al2O3, TiO2, TaO2, HfO2 중에서 하나를 포함하는 산화물인 것을 특징으로 하는 유연 저항 변화 메모리
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제6항에 있어서,상기 스위칭층을 산소 분위기 및 기 설정된 온도에서 열처리할 때의 절연 특성이 상기 스위칭층을 대기 분위기 및 상기 기 설정된 온도에서 열처리할 때의 절연 특성보다 향상되는 것을 특징으로 하는 유연 저항 변화 메모리
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제6항에 있어서,상기 스위칭층을 산소 분위기 및 기 설정된 온도에서 열처리할 때의 셋/리셋 전압이 상기 스위칭층을 대기 분위기 및 상기 기 설정된 온도에서 열처리할 때의 셋/리셋 전압보다 낮은 것을 특징으로 하는 유연 저항 변화 메모리
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제6항에 있어서,상기 스위칭층을 형성하는 과정에서 산화 이온이 금속 및 산화물 결합으로부터 방출될 때 산소 공공이 생성되며, 상기 산소 분위기에서 산소 공공이 쉽게 산화되어 상기 산화 이온의 방출을 억제하는 것을 특징으로 하는 유연 저항 변화 메모리
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제6항에 있어서,상기 스위칭층을 형성하는 금속 및 산소 결합의 비율이 65% 내지 75%인 것을 특징으로 하는 유연 저항 변화 메모리
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제11항에 있어서,상기 스위칭층에서 페르마 준위 및 전도대 사이의 에너지 장벽인 활성화 에너지가 40 meV 내지 100 meV인 것을 특징으로 하는 유연 저항 변화 메모리
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제6항에 있어서,상기 스위칭층이 상기 산화물 용액을 상기 산소 분위기에서 열처리하여 형성됨에 따라, 대기 중에 노출되면 산화 이온의 이동이 억제되어 상기 제2 전극과 상기 스위칭층 사이의 계면의 산화는 셋 전압의 증가에 따라 증가하고, 저저항 상태(LRS)에서 저항이 증가하고 고저항 상태(HRS)에서 저항이 감소되는 현상을 방지하여 동작 안정성을 확보하는 것을 특징으로 하는 유연 저항 변화 메모리
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스위칭층 형성시 진공 장비를 사용하지 않는 저온 용액 공정에 기반하여 형성된 유연 저항 변화 메모리를 포함하는 전자 장치에 있어서,적어도 하나의 전기 신호를 발생시키는 전자 회로; 및상기 전자 회로에 연결된 유연 저항 변화 메모리를 포함하며,상기 유연 저항 변화 메모리는,산화물 용액을 산소 분위기에서 저온 열처리하여 형성된 스위칭층; 상기 스위칭층에 연결된 제1 전극; 및상기 스위칭층에 연결된 제2 전극을 포함하며,상기 스위칭층은 상기 산화물 용액을 90% 내지 99
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제15항에 있어서,상기 전자 장치는 플렉서블 장치 또는 대상체에 착용 가능한 장치인 것을 특징으로 하는 전자 장치
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