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유전율이 상이한 복수의 기판을 포함하되, 상기 복수의 기판 중 유전율이 낮은 기판의 일면에 안테나 층을 형성하고, 유전율이 높은 기판의 일면에 버틀러 매트릭스 층을 형성하되,상기 버틀러 매트릭스 층과 상기 안테나 층 사이의 그라운드로 이용하는 내부 도체면에 작은 슬랏(slot)을 복수로 형성하되,상기 슬랏을 통해 신호가 버틀러 매트릭스의 출력 단자에서 안테나로 전달되는 슬랏 결합 피딩 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 스위치 빔포밍 안테나 장치
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제1 항에 있어서, 상기 복수의 기판의 적층에 의해 형성된 내부 도체면은 각각 그라운드로 이용되는 것을 특징으로 하는 스위치 빔포밍 안테나 장치
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제1 항에 있어서,상기 복수의 기판은 상기 복수의 기판의 유전율과 상이한 유전율을 가지는 수지를 이용하여 접착되어 적층되는 것을 특징으로 하는 스위치 빔포밍 안테나 장치
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6
제1 항에 있어서,상기 안테나 층은 배열 안테나가 형성되되,상기 배열 안테나는 마이크로스트립 패치 안테나인 것을 특징으로 하는 스위치 빔포밍 안테나 장치
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7
제1 항에 있어서,상기 안테나 층은 배열 안테나가 형성되되,상기 배열 안테나는 다이폴 안테나인 것을 특징으로 하는 스위치 빔포밍 안테나 장치
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8
제1 항에 있어서,상기 복수의 기판의 두께는 0
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9
제1 유전율을 가지는 제1 유전체 층;제2 유전율을 가지는 제2 유전체 층;제1 금속 층; 및 제2 금속 층을 포함하되, 상기 제1 유전체 층과 상기 제2 유전체 층은 적층되되, 상기 제1 금속 층 및 상기 제2 금속 층은 상기 제1 유전체 층과 상기 제2 유전체 층의 상부 또는 하부 외부에 형성되되,상기 제1 금속 층과 상기 제2 금속 층은 상기 제1 유전체 층 및 상기 제2 유전체 층을 관통하는 비아(via)를 통해 전기적으로 연결되어 안테나 및 버틀러 매트릭스를 구성하는 것을 특징으로 하는 스위치 빔포밍 안테나 장치
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10
제1 유전율을 가지는 제1 기판의 일면과 제2 유전율을 가지는 제2 기판의 일면에 프리프레그를 도포하여 제1 기판과 제2 기판을 적층하는 단계;상기 제1 기판의 타면에 버틀러 매트릭스 층을 형성하는 단계;상기 제2 기판의 타면에 안테나 층을 형성하는 단계; 및상기 버틀러 매트릭스 층에서 상기 안테나 층으로 복수의 비아홀을 형성하는 단계를 포함하는 스위치 빔포밍 안테나 제조 방법
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