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플라즈마를 방전시키기 위한 적어도 하나의 정전척 전극을 포함하는 복수의 챔버들; 측정 교류 신호를 인가하여 플라즈마의 임피던스 또는 기판의 임피던스를 측정함에 따라, 상기 챔버들의 공정 파라미터들에 대한 상기 챔버들간 매칭 상태를 모니터링하는 프로세서; 및상기 각 챔버에 포함된 정전척 전극 또는 상기 각 챔버와 연결되어, 모니터링하고자 하는 챔버와 상기 프로세서를 연결시키는 스위칭 모듈;을 포함하고,상기 프로세서는, 상기 플라즈마의 임피던스 또는 상기 기판의 임피던스를 측정하기 위한 측정 회로를 포함하며,상기 측정 회로는, 상기 플라즈마의 임피던스 또는 상기 기판의 임피던스를 측정하기 위한 상기 측정 교류 신호를 발생시키는 AC 신호 발생기; 상기 플라즈마의 임피던스 또는 상기 기판의 임피던스에 따른 부하 임피던스와의 기 설정된 비율에 따른 기준 임피던스를 갖는 기준 캐패시터; 및 상기 측정 교류 신호와 상기 기준 임피던스에 따른 전압을 비교하는 비교기;를 포함하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제1항에 있어서,상기 정전척 전극이 정전기력을 발생시킬 수 있도록 상기 정전척 전극에 직류 또는 교류 성분을 포함하는 제1 전기적 신호를 인가하는 전압 공급기; 및 상기 정전척 전극에 인접하여 형성되며, 상기 정전척 전극으로부터의 플라즈마 방전을 위한 플라즈마 방전 대역의 주파수 성분을 갖는 제2 전기적 신호를 인가받는 도체 베이스;를 더 포함하고, 상기 정전척 전극은, 상기 각 챔버 내에 배치되며, 직류 전압 인가에 따라 정전기력을 발생하여 기판에 척킹(chucking) 또는 디척킹(de-chucking)하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제1항에 있어서,상기 각 챔버의 내벽과 연결되고, 상기 정전척 전극과 대향하는 위치에 배치되어 상기 정전척 전극과 함께 전기장을 형성시키는 그라운드 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제2항에 있어서,상기 플라즈마 방전을 위한 상기 제2 전기적 신호를 상기 도체 베이스로 인가하는 RF 전원; 및상기 RF 전원과 연결되어, 상기 플라즈마 방전을 위한 플라즈마 방전 대역의 주파수 성분 외에 외부로부터의 타 주파수 대역의 주파수 성분을 갖는 신호가 상기 RF 전원으로 입력되는 것을 차단하기 위한 필터용 캐패시터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제1항에 있어서, 상기 정전척 전극이 복수개로 배치되는 경우, 상기 프로세서는, 상기 기준 캐패시터에서의 기준 임피던스, 상기 비교기에서 측정되는 최종 출력되는 전압값, 및 상기 측정 교류 신호에 대한 전압값을 이용하여 부하 임피던스를 산출하고, 산출된 부하 임피던스, 상기 기준 임피던스, 플라즈마 방전 전 상기 비교기에서 출력되는 제1 전압값, 및 플라즈마 방전 후 상기 비교기에서 출력되는 제2 전압값을 이용하여 상기 플라즈마의 임피던스를 계산하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제1항에 있어서, 상기 측정 회로는,상기 AC 신호 발생기 및 상기 부하 임피던스를 갖는 전류가 흐르는 회로 상에 연결되어, 플라즈마 방전에 따라 방사되는 차단 대상 주파수 대역의 주파수 성분을 차단하는 보호 회로; 및상기 비교기 및 상기 보호 회로와 연결되어, 상기 부하 임피던스에 따른 전압이 임계치보다 작은 경우, 상기 부하 임피던스에 따른 전압을 증폭시키는 증폭기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제2항에 있어서, 상기 측정 회로는, 상기 AC 신호 발생기와 직렬로 연결되어 배치되는 전압 차단 캐패시터 또는 유전체를 이용하여 상기 전압 공급기로부터 공급되는 제1 전기적 신호가 상기 프로세서로 인가되는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제1항에 있어서,상기 각 챔버에는 하나의 정전척 전극이 배치되고, 상기 프로세서로부터 인가되는 측정 교류 신호를 연결하는 신호 라인들은 상기 챔버의 벽 및 상기 정전척 전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제1항에 있어서, 상기 각 챔버에는 적어도 한 쌍의 정전척 전극들이 배치되고,상기 프로세서로부터 인가되는 측정 교류 신호를 연결하는 신호 라인들은 상기 각 정전척 전극들에 연결되는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제2항에 있어서,상기 도체 베이스는, 알루미늄(aluminum)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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플라즈마를 방전시키기 위한 적어도 하나의 정전척 전극을 포함하는 복수의 챔버들; 상기 각 챔버에 측정 교류 신호를 인가하여 플라즈마의 임피던스 또는 기판의 임피던스를 측정하는 프로세서들; 및 상기 프로세서들로부터 측정된 플라즈마의 임피던스 또는 상기 기판의 임피던스를 비교하여 상기 복수의 챔버들의 공정 파라미터들에 대한 상기 챔버들간 매칭 상태를 모니터링하는 모니터링 모듈;을 포함하고,상기 프로세서는, 상기 플라즈마의 임피던스 또는 상기 기판의 임피던스를 측정하기 위한 측정 회로를 포함하며,상기 측정 회로는, 상기 플라즈마의 임피던스 또는 상기 기판의 임피던스를 측정하기 위한 상기 측정 교류 신호를 발생시키는 AC 신호 발생기; 상기 플라즈마의 임피던스 또는 상기 기판의 임피던스에 따른 부하 임피던스와의 기 설정된 비율에 따른 기준 임피던스를 갖는 기준 캐패시터; 및 상기 측정 교류 신호와 상기 기준 임피던스에 따른 전압을 비교하는 비교기;를 포함하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제12항에 있어서,상기 정전척 전극이 정전기력을 발생시킬 수 있도록 상기 정전척 전극에 직류 성분 또는 교류 성분을 포함하는 제1 전기적 신호를 인가하는 전압 공급기; 및 상기 정전척 전극에 인접하여 형성되며, 상기 정전척 전극으로부터의 플라즈마 방전을 위한 플라즈마 방전 대역의 주파수 성분을 갖는 제2 전기적 신호를 인가받는 도체 베이스;를 더 포함하고, 상기 정전척 전극은, 상기 각 챔버 내에 배치되며, 직류 전압 인가에 따라 정전기력을 발생하여 기판에 척킹(chucking) 또는 디척킹(de-chucking)하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제12항에 있어서,상기 각 챔버의 내벽과 연결되고, 상기 정전척 전극과 대향하는 위치에 배치되어 상기 정전척 전극과 함께 전기장을 형성시키는 그라운드 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제13항에 있어서,상기 플라즈마 방전을 위한 상기 제2 전기적 신호를 상기 도체 베이스로 인가하는 RF 전원; 및상기 RF 전원과 연결되어, 상기 플라즈마 방전을 위한 플라즈마 방전 대역의 주파수 성분 외에 외부로부터의 타 주파수 대역의 주파수 성분을 갖는 신호가 상기 RF 전원으로 입력되는 것을 차단하기 위한 필터용 캐패시터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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제12항에 있어서, 상기 모니터링 모듈은,상기 챔버 내의 정전척 전극에 인접하여 배치되는 상기 기판에 따라 상기 프로세서에서 측정되는 플라즈마 임피던스 또는 상기 기판의 임피던스를 고려하여 상기 챔버들간 매칭 상태를 비교하기 위한 기준 파라미터를 설정하는 것을 특징으로 하는 챔버 간 매칭 모니터링 시스템
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