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플라즈마 가스가 주입되어 플라즈마화 되는 플라즈마 반응조;상기 플라즈마 반응조의 외주 면에 결합 형성되는 반응전극;상기 플라즈마 반응조 내부로 치아 임플란트를 장입시켜 고정하는 지지봉; 및상기 반응전극으로 플라즈마 전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화용 플라즈마 장치
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 반응조는,원통형 석영관인 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화용 플라즈마 장치
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제1항에 있어서, 상기 전원공급부는,주파수가 1kHz 내지 100kHz, 전압이 1kV 내지 100kV의 싸인파, 삼각파, 사각파 또는 펄스파 중 어느 하나의 교류 플라즈마 전원을 공급하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화용 플라즈마 장치
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제1항에 있어서, 상기 지지봉은,세라믹 봉인 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화용 플라즈마 장치
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제1항에 있어서, 상기 지지봉은,Al2O3 소재의 세라믹 봉으로 구성되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화용 플라즈마 장치
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 가스는,불활성 가스와 산소 혼합 가스로 1 내지 100 slm의 흐름으로 상기 플라즈마 반응조의 내부를 흐르도록 공급되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화용 플라즈마 장치
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 반응조와 상기 지지봉은,상기 플라즈마 반응조의 내부로 장입된 치아 임플란트와 상기 플라즈마 반응조가 동축에 배치하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화용 플라즈마 장치
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플라즈마 가스가 주입되어 플라즈마화 되는 플라즈마 반응조, 상기 플라즈마 반응조의 외주 면에 결합 형성되는 반응전극, 상기 플라즈마 반응조 내부로 치아 임플란트를 장입시켜 고정하는 지지봉 및 상기 반응전극으로 플라즈마 전원을 공급하는 전원공급부를 포함하여 구성되는 치아 임플란트 표면 친수화용 플라즈마 장치에 의한 치아 임플란트 표면 친수화 방법에 있어서,상기 지지봉의 일 단부에 치아 임플란트를 고정한 후 상기 치아 임플란트가 상기 플라즈마 반응조의 내부에 위치되도록 치아 임플란트를 장입하는 단계;상기 플라즈마 반응조의 내부로 플라즈마 가스를 공급하는 단계; 및상기 전원공급부가 상기 반응전극으로 플라즈마 전원을 공급하는 상기 플라즈마 가스를 플라즈마화 하여 상기 치아 임플란트의 표면을 친수화 하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화 방법
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제8항에 있어서, 상기 플라즈마 가스를 공급하는 단계에서 공급되는 상기 플라즈마 가스는,불활성 가스와 산소 혼합 가스로 1 내지 100 slm의 흐름으로 상기 플라즈마 반응조의 내부를 흐르도록 공급되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화 방법
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제8항에 있어서, 상기 치아 임플란트를 장입하는 단계에서,상기 치아 임플란트는 세라믹 소재 지지봉에 고정되어 상기 플라즈마 반응조의 내부로 장입되어 지지되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화 방법
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제8항에 있어서, 상기 치아 임플란트를 장입하는 단계에서,상기 치아 임플란트는 Al2O3 세라믹 지지봉에 고정되어 상기 플라즈마 반응조의 내부로 장입되어 지지되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화 방법
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제8항에 있어서, 상기 치아 임플란트를 장입하는 단계에서,상기 플라즈마 반응조와 상기 치아 임플란트는 동축에 위치되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화 방법
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제8항에 있어서, 상기 치아 임플란트의 표면을 친수화 하는 단계에서 공급되는 상기 플라즈마 전원은,주파수가 1 내지 100kHz, 전압이 1 내지 100kV의 싸인파, 삼각파, 사각파 또는 펄스파 중 어느 하나의 교류 플라즈마 전원인 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화 방법
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제8항에 있어서, 상기 치아 임플란트의 표면을 친수화 하는 단계에서 공급되는 상기 플라즈마 전원의 공급은,상기 플라즈마 반응조가 원통형 석영관으로 형성되고, 상기 반응전극이 상기 원통형 석영과의 외주연에 결합되는 원통관형 전극으로 형성되어, 상기 전원공급부에서 주파수가 1kHz 내지 100kHz, 전압이 1kV 내지 100kV의 싸인파, 삼각파, 사각파 또는 펄스파 중 어느 하나의 교류 전원을 공급하는 교류 플라즈마 전원 공급인 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화 방법
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제8항에 있어서, 상기 치아 임플란트의 표면을 친수화 하는 단계는,상기 지지봉에 고정되어 장입된 상기 치아 임플란트를 상기 플라즈마 내부에 30 내지 60 초 유지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 치아 임플란트 표면 친수화 방법
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