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양자점이 도핑된 산화텅스텐
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제1항에 있어서,양자점은 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, InP, GaP, GaInP2, PbS, ZnO, TiO2, AgI, AgBr, PbSe, In2S3, In2Se3, Cd3P2, Cd3As2 및 GaAs로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 산화텅스텐
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제1항에 있어서,양자점이 도핑된 산화텅스텐은 X선 광전자 분광에 따른 원소 분석 시 텅스텐 100 원자%에 대하여 카드뮴 5 내지 20 원자%를 함유하는 산화텅스텐
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제1항에 있어서,산화텅스텐은 X선 회절 분석 시 2θ로 나타내는 20±0
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제1항에 있어서,양자점의 평균 크기는 1 nm 내지 100nm인 산화텅스텐
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제 1 항에 있어서,상기 산화텅스텐은 하기 식 1의 조건을 만족하는 산화텅스텐:[식 1]40% ≤ Tbleached - Tcolored ≤ 70%상기 식 1에서,Tbleached는 산화텅스텐에 2
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제1항에 있어서,산화텅스텐의 변색 효율(EC)은 ±2
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산화텅스텐 전구체 및 양자점을 포함하는 혼합물을 기재 상에 도포하는 단계; 및도포된 혼합물을 열처리하여 양자점이 도핑된 산화텅스텐을 제조하는 단계를 포함하는, 양자점이 도핑된 산화텅스텐의 제조방법
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제8항에 있어서,혼합물에 포함된 양자점의 함량은 산화텅스텐 전구체 1 몰부를 기준으로 0
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제8항에 있어서, 산화텅스텐 전구체는 이황화텅스텐 (WS2) 및 암모늄 테트라티오텅스테이트 ((NH4)2WS4)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 산화텅스텐의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 열처리는 200℃ 내지 800℃에서 수행되는 산화텅스텐의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 열처리는 30분 내지 200분 동안 수행되는 산화텅스텐의 제조 방법
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제1항에 따른 양자점이 도핑된 산화텅스텐을 포함하는 전기변색소자
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