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6T 비휘발성(Non-volatile) SRAM(Static Random Access Memory)에 있어서,제1 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제1 풀다운(pull down) 트랜지스터로 형성되는 제1 인버터;제2 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제2 풀다운(pull down) 트랜지스터로 형성되는 제2 인버터;상기 제1 인버터의 출력과 비트라인바 노드 사이에 연결되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자로 이루어지는 제1 패스 게이트(pass gate); 및상기 제2 인버터의 출력과 비트라인 노드 사이에 연결되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자로 이루어지는 제2 패스 게이트(pass gate)를 포함하는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM
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제1항에 있어서,상기 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자 중 어느 하나는상기 SRAM 셀의 프리차지(Precharge)를 통해 비트라인 노드 또는 비트라인바 노드에 인가되는 전압과, 상기 제1 인버터 또는 제2 인버터의 출력 전압 간의 차이로 인해 HEI(Hot electron injection)가 발생하는 것을 특징으로 하는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM
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제2항에 있어서,상기 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자는상기 SRAM 셀의 워드라인 노드에 인가되는 전압에 따라 상기 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자의 플로팅 게이트(Floating gate)가 차지(charge)되거나, 상기 플로팅 게이트(Floating gate)에 차지(charge)된 전하가 제거되는 것을 특징으로 하는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM
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6T 비휘발성(Non-volatile) SRAM(Static Random Access Memory)의 동작 방법에 있어서,6T 비휘발성 SRAM에 전원이 차단되기 전에 6T 비휘발성 SRAM 셀에 저장된 데이터를 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자에 저장하는 스토어(Store) 단계(S20);상기 6T 비휘발성 SRAM에 전원이 공급된 후에 상기 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자에 저장된 데이터를 6T 비휘발성 SRAM 셀의 제1 데이터 노드 또는 제2 데이터 노드에 저장하는 리스토어(Restore) 단계(S50); 및상기 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자에 저장된 전하를 제거하는 전하 제거(Erase) 단계(S60)를 포함하는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM의 동작 방법
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제4항에 있어서,상기 스토어(Store) 단계(S20)는상기 제1 데이터 노드 또는 제2 데이터 노드에 저장되는 로우(Low, 0) 데이터와, 프리차지(Precharge)를 통해 비트라인 노드 또는 비트라인바 노드에 인가되는 프리차지(Precharge) 전압 간의 소스-드레인 전압 차이로 인해 발생하는 HEI(Hot electron injection)를 이용하여 상기 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자의 플로팅 게이트(Floating gate)에 전하가 주입(charge) 되도록 하는 것을 특징으로 하는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM의 동작 방법
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제4항에 있어서,상기 리스토어(Restore) 단계(S50)는상기 스토어(Store) 단계(S20)에서 전하가 주입되어 문턱 전압이 높아진 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자는 턴온(Turn-on)이 되지 않고, 전하가 주입되지 않은 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자가 턴온(Turn-on)되어 전원이 차단되기 전에 상기 6T 비휘발성 SRAM 셀에 저장된 데이터가 복구(Restore)되는 것을 특징으로 하는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM의 동작 방법
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제4항에 있어서,상기 전하 제거(Erase) 단계(S60)는상기 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자의 플로팅 게이트(Floating gate)에 전하가 주입된 경우 상기 6T 비휘발성 SRAM 셀의 워드라인 노드에 인가되는 전압에 따라 상기 전하가 F-N 터널링(Tunneling)으로 빠져나오면서 문턱 전압이 정상으로 회복되는 것을 특징으로 하는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM의 동작 방법
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