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애즈-컷(as-cut) 상태의 사파이어 웨이퍼의 표면 에칭속도를 제어하는 에칭제로서,상기 에칭제는,보락스 분말 및 x의 함량을 갖는 Al2O3 분말이 혼합된 혼합분말을 포함하며,상기 x의 함량은 10wt% 내지 28wt% 범위인,사파이어 웨이퍼 표면 에칭제
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제 1 항에 있어서,상기 보락스 분말은 무수 보락스 분말을 포함하는,사파이어 웨이퍼 표면 에칭제
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제 1 항에 있어서,상기 Al2O3 분말의 평균 입도는 0
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애즈-컷(as-cut) 상태의 사파이어 웨이퍼의 표면 에칭속도를 제어하는 에칭 방법으로서,보락스 분말 및 x의 함량을 갖는 Al2O3 분말이 혼합된 혼합분말을 함유하는 에칭제를 사파이어 웨이퍼의 표면 상에 적층시키는 단계; 및상기 혼합분말이 적층된 사파이어 웨이퍼를 열처리로에 장입한 후 열처리를 수행함으로써, 상기 혼합분말을 용융시켜 상기 사파이어 웨이퍼의 표면에서 반응시키는 단계;를 포함하고,상기 x의 함량은 10wt% 내지 28wt% 범위인,사파이어 웨이퍼의 표면 에칭 방법
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제 4 항에 있어서,상기 열처리는,대기 분위기에서 수행하는,사파이어 웨이퍼의 표면 에칭 방법
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제 4 항에 있어서,상기 열처리는,820℃ 내지 900℃의 온도 범위에서 수행하는,사파이어 웨이퍼의 표면 에칭 방법
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제 4 항에 있어서,상기 열처리는,1 hour 내지 2 hour의 시간 범위에서 수행하는,사파이어 웨이퍼의 표면 에칭 방법
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제 4 항에 있어서,상기 반응시키는 단계 이후에,상기 사파이어 웨이퍼의 표면 상에 잔류하는 상기 에칭제를 제거하는 단계를 포함하는,사파이어 웨이퍼의 표면 에칭 방법
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제 8 항에 있어서,상기 에칭제를 제거하는 단계는,초음파 세척(ultrasonic cleaning)을 이용하여 상기 사파이어 웨이퍼의 표면 상에 잔류하는 상기 에칭제를 제거하는 단계를 포함하는,사파이어 웨이퍼의 표면 에칭 방법
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