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기판;상기 기판 상부면에 배치되는 제1전극층; 상기 제1전극층의 상부면에 배치되는 유기 활성층;상기 유기 활성층 내부에 배치되며, 베이스 전극, 상기 베이스 전극에 형성되어 전하의 이동경로를 제공하는 복수개의 동공 및 상기 베이스 전극의 표면 및 상기 동공을 둘러싸는 금속 산화물을 포함하는 제2전극층; 및상기 유기 활성층상에 배치되는 제3 전극층;을 포함하며,상기 금속 산화물은 양극 산화 이후 열처리 과정을 거쳐 형성되며, 전이 주파수는 40MHz를 초과하고, 전송 계수(transmission factor)는 99
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물은 산화이트륨(Y2O3), 산화알루미늄(Al2O3, AlOx), 산화마그네슘(MgOx), 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO), 산화철(Fe2O3, FeOx), 산화타이타늄(TiOx), 산화지르코늄(ZrO2), 산화크로뮴(Cr2O3), 산화하프늄(HfO), 산화베릴늄(BeO), 산화텅스텐(WOx), 산화구리(CuOx), 산화규소(SiOx), 산화니켈(NiOx)의 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는(x는1 내지 3사이의 유리수) 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물은 양극 산화 방식에 의하여 형성되는 유기 박막 트랜지스터
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제3항에 있어서,상기 금속 산화물은 산성용액에 상기 베이스 전극을 침지 후, 상기 산성용액 내 보조전극과 상기 베이스 전극간에 전압을 인가하여 형성되는 유기 박막 트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 금속 산화물의 두께 및 형상은 산성 용액의 pH, 용액 조성, 용액 농도, 용존 금속 이온 농도, 산성 용액 온도, 산성 용액 교반 속도, 인가전류밀도, 인가전압, 인가전류 형태(DC, AC, Pulse), 금속 합금 조성, 전처리 방법, 상기 베이스 전극의 두께 및 형태, 상기 보조전극의 크기 및 형태 중 적어도 하나에 의하여 결정되는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 베이스 전극은 알루미늄이고, 상기 금속 산화물은 상기 베이스 전극이 양극 산화된 AlOx로 이루어지는 유기 박막 트랜지스터
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 제1전극층을 형성하는 단계;상기 제1전극층 상에 유기 반도체 하층 및 베이스 전극을 배치하는 단계;상기 베이스 전극을 양극 산화 시키는 단계;상기 기판, 상기 제1전극층, 상기 유기 반도체 하층 및 상기 베이스 전극을 진공 상태에서 건조 시키는 단계;상기 기판, 상기 제1전극층, 상기 유기 반도체 하층 및 상기 베이스 전극을 열처리하는 단계;상기 유기 반도체 하층 및 상기 베이스 전극 상에 유기 반도체 상층을 배치하는 단계; 및상기 유기 반도체 및 베이스 금속을 포함하는 활성층 상에 제3전극층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 양극 산화 시키는 단계는 상기 베이스 전극, 상기 베이스 전극에 형성되어 전하의 이동경로를 제공하는 복수개의 동공 및 상기 베이스 전극의 표면 및 상기 동공을 둘러싸는 금속 산화물을 포함하는 제2전극층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서,상기 유기 박막 트랜지스터의 전이 주파수는 40MHz를 초과하고, 전송 계수(transmission factor)는 99
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제11항에 있어서,상기 양극 산화 시키는 단계는 상기 베이스 금속을 산성용액에 침지시키는 단계; 및상기 베이스 금속과 상기 산성용액 사이에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 양극 산화 시키는 단계 이전에, 상기 유기 반도체 및 베이스 금속을 가열하는 단계를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 유기 반도체 및 베이스 금속을 가열하는 단계 이후에 상기 베이스 금속이 산성 용액에 침지 시 수면에 위치하는 부분을 중합체로 코팅하는 단계를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 유기반도체 상층을 배치하는 단계 이후에, 상기 활성층 상부에 절연층 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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