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저저항 실리콘카바이드계 복합체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021003163
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖는 실리콘카바이드계 복합체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘카바이드계 복합체에 의하면, 소재의 위치에 따른 전기저항 차이가 크지 않고, 낮은 전기저항을 나타내며, 열전도 및 기계적 특성이 우수하다.
Int. CL C04B 35/575 (2006.01.01) C04B 35/563 (2006.01.01) C04B 35/626 (2006.01.01)
CPC C04B 35/575(2013.01) C04B 35/563(2013.01) C04B 35/62655(2013.01) C04B 2235/3217(2013.01) C04B 2235/3225(2013.01) C04B 2235/36(2013.01)
출원번호/일자 1020190178813 (2019.12.31)
출원인 (주)삼양컴텍, 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-2234171-0000 (2021.03.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20210331) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)삼양컴텍 대한민국 서울특별시 서초구
2 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최우혁 경기도 광주시
2 강석원 서울특별시 송파구
3 손재용 경기도 광주시
4 정성모 경기도 용인시 수지구
5 박주석 경상남도 진주시 소호로 **,
6 김경훈 경상남도 진주시 소호로 **,
7 소성민 경상남도 진주

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)삼양컴텍 서울특별시 서초구
2 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-1359122-74
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0038483-35
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2020.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2020.01.20 수리 (Accepted) 9-1-2020-0002827-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0228593-52
6 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0552669-43
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-0680754-40
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-0798349-40
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0798321-73
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0646768-38
11 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-1235310-01
12 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-1378233-47
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0042563-74
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2021-0042589-50
15 등록결정서
Decision to grant		 2021.03.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0173103-71
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번호 청구항
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출발원료로 SiC 분말, B4C 분말 및 Al(OH)3 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;상기 과립분말을 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 실리콘카바이드계 복합체를 수득하는 단계를 포함하며,상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말은 50:50 내지 90:10의 중량비로 혼합하고,상기 Al(OH)3 분말은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
8 8
제7항에 있어서, 상기 출발원료는 알루미늄 나이트레이트 수화물을 더 포함하고, 상기 알루미늄 나이트레이트 수화물은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
9 9
제7항에 있어서, 상기 출발원료는 이트륨 나이트레이트 수화물을 더 포함하고, 상기 이트륨 나이트레이트 수화물은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
10 10
제7항에 있어서, 상기 출발원료는 알루미늄 나이트레이트 수화물과 이트륨 나이트레이트 수화물을 더 포함하고, 상기 알루미늄 나이트레이트 수화물과 상기 이트륨 나이트레이트 수화물은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
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12 12
제7항에 있어서, 상기 출발원료는 Y2O3 분말을 더 포함하고, 상기 Y2O3 분말은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
13 13
제7항에 있어서, 상기 출발원료는 액상 규산소다(sodium silicate)를 더 포함하고, 상기 액상 규산소다는 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
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제7항에 있어서, 상기 소결온도는 1750∼2100℃ 범위인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드계 복합체의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 과립분말에 가해지는 압력은 10∼60MPa 범위인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드계 복합체의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 분무건조는 유입구(Inlet) 온도 85∼270℃, 배출구(Outlet)의 온도 60∼120℃, 회전속도 6000∼15000 rpm의 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드계 복합체의 제조방법
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