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반응 가스가 유입되는 가스 챔버;상기 가스 챔버의 하단에 이격된 거리에 위치하는 제1 전극;상기 가스 챔버의 측면에서 상기 제1 전극과 이격된 거리에 위치하는 제2 전극;상기 가스 챔버의 내부에 일부 삽입되고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 이격된 거리에 위치하는 제3 전극; 및상기 제3 전극으로 인가되는 전원을 제어하는 전원부를 포함하고,상기 가스 챔버는 상기 제3 전극을 고정시키는 역할을 하며, 유전체로 구성되어 상기 제2 전극이 상기 제3 전극에 대해 노출된 영역에서만 플라즈마 방전이 일어나는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 기판을 포함하며, 상기 기판의 상단에 유전체 마스크가 형성되며,상기 유전체 마스크는 슬릿 형태로 제작되는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제2항에 있어서,상기 반응 가스는 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 전위차에 의해 이온화되어 플라즈마를 형성하고,상기 플라즈마는 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극이 차지하는 공간에서 발생하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제3항에 있어서,상기 제1 전극은 상 또는 하로 이동 가능하고, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극이 고정된 상태에서 상기 기판 사이의 거리를 조절하고, 상기 제1 전극은 좌 또는 우로 이동하여 상기 기판의 상단이 상기 플라즈마에 노출되는 단면을 변경하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제1항에 있어서,외부의 냉각 수단에 연결되어 냉매가 순환하기 위해 상기 제2 전극의 양 옆에 구비되는 제1 냉각 라인; 및상기 외부의 냉각 수단에 연결되어 상기 냉매가 순환하기 위해 상기 제3 전극에 구비되는 제2 냉각 라인을 더 포함하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제1항에 있어서,상기 가스 챔버의 상부에 덮어 씌워져 상기 가스 챔버를 밀폐하며, 상기 반응 가스가 주입되는 주입부를 형성하는 챔버 덮개;상기 가스 챔버의 내부 및 상기 제2 전극의 내부에 위치하며, 상기 반응 가스의 누설을 방지하는 오링; 및상기 가스 챔버의 내부에 위치하며, 상기 반응 가스의 주입부분의 압력과 배출부의 압력의 차이를 이용하여, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 사이의 공간에 상기 반응 가스를 공급하는 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 방전 후 상기 제2 전극 부분의 임피던스를 제어하며, 상기 제1 전극으로 흐르는 전류를 제어하는 가변 커패시터를 더 포함하며,상기 가변 커패시터는 상기 제2 전극에 연결되어 상기 제2 전극에서 상기 제1 전극으로의 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제7항에 있어서,상기 제1 전극의 상단의 기판에 흐르는 전류는,상기 제2 전극과 상기 제2 전극에서 연결된 접지 부분에 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 제어하여 조절하거나,상기 제3 전극의 옆면에 위치하는 상기 제2 전극을 좌 또는 우로 이동하여 조절하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제1항에 있어서,상기 유전체는 상기 가스 챔버 및 상기 제3 전극의 표면에 도포되는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제7항에 있어서,상기 가변 커패시터는 10 pF 보다 크고 10 nF 이하의 커패시턴스를 형성하며, 상기 제1 전극에 흐르는 1 mA 보다 크고 10 A 이하의 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 제2 전극과의 사이 거리가 0
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대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치에 의한 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치 작동 방법에 있어서,반응 가스가 가스 챔버 내부에 유입되는 단계;상기 반응 가스가 제1 전극, 제2 전극 및 제3 전극 사이의 공간에 공급되며, 상기 반응 가스를 통해 플라즈마를 생성하는 단계; 및가변 커패시터 조절하고 기판에 흐르는 전류를 제어하는 단계를 포함하고,상기 플라즈마를 생성하는 단계는, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극의 전위차에 의해 상기 반응 가스가 이온화되어 플라즈마를 형성하는 단계; 및 상기 제3 전극과 상기 제1 전극 사이의 전위차에 의해 상기 반응 가스가 이온화되어 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하고,상기 가변 커패시터 조절 및 기판에 흐르는 전류를 제어하는 단계는, 상기 제2 전극과 접지 사이의 상기 가변 커패시터를 제어하는 단계; 및 상기 제3 전극 옆면에 위치하는 상기 제2 전극을 좌 또는 우로 이동하여 조절하는 단계를 포함하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치 작동 방법
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삭제
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제13항에 있어서,상기 가변 커패시터 조절 및 기판에 흐르는 전류를 제어하는 단계는,상기 가변 커패시터가 상기 제2 전극의 좌측 또는 우측에 부착되어 있는 경우, 상기 제2 전극의 좌측 또는 우측에 부착된 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조절하여 상기 제1 전극에 흐르는 전류 조절하는 단계; 및상기 가변 커패시터가 상기 제2 전극과 접지 사이에 연결되어 있는 경우, 상기 제2 전극과 접지 사이에 연결된 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조절하여 상기 제1 전극에 흐르는 전류 조절하는 단계를 포함하는 대면적 대기압 플라즈마 표면처리 및 도핑 장치 작동 방법
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