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산화그래핀 혼합액과 금속폼을 제1 수열반응하여 상기 금속폼 표면에 환원된 산화그래핀(rGO) 코팅층을 형성하는 단계;상기 코팅층이 형성된 금속폼을 질소도핑제를 이용하여 450~550℃에서 열처리하여 질소를 도핑하여, 중간체를 제조하는 단계; 및상기 중간체와 제1 전구체 조성물을 제2 수열반응하여, 상기 중간체 표면의 적어도 일부에 니켈코발트 황화물을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제1 전구체 조성물은 니켈(Ni) 전구체, 코발트(Co) 전구체 및 황(S) 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 수열반응은 상기 산화그래핀 혼합액과 금속폼을 1~10℃/min의 승온 속도로 100~140℃까지 승온 및 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산화그래핀 혼합액은 산화그래핀 수분산액과 유기용매를 접촉하는 단계;를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 상기 코팅층이 형성된 금속폼과 질소 도핑제를 300~400℃까지 승온 및 유지하여 상기 질소도핑제를 기체상으로 분해하는 1차 가열단계; 및상기 코팅층이 형성된 금속폼 및 기체상의 질소도핑제를 450~550℃까지 승온 및 유지하여, 상기 코팅층에 질소를 도핑시키는 2차 가열단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 1차 가열 및 2차 가열은 각각 1~10℃/min의 승온속도로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속폼은 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg) 및 망간(Mn) 중 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 불활성 가스 조건에서 실시되는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질소도핑제는 우레아(urea), 멜라민(melamin), 히드라진(hydrazine) 및 피리딘(pyridine) 중 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 제2 수열반응은 150~220℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 니켈 전구체는 질산니켈(Ni(NO3)2), 니켈 아세테이트(Ni(CH3COO)2), 황산니켈(NiSO4) 및 염화니켈(NiCl2)중 하나 이상 포함하며,상기 코발트 전구체는 질산코발트(Co(NO3)2), 코발트 아세테이트(Co(CH3COO)2) 및 염화코발트(CoCl2)중 하나 이상 포함하고, 그리고,상기 황 전구체는 싸이오우레아((CS(NH2)2)), 황화나트륨(Na2S) 및 이황화탄소(CS2) 중 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 니켈코발트 황화물은 황화니켈코발트(NiCo2S4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 전구체 조성물은 pH가 6~9인 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속폼은 전처리된 것이며,상기 전처리는 상기 금속폼을 산용액에 침지하고 초음파처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 제조방법
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제1항 내지 제13항중 어느 한 항의 복합체 제조방법에 의해 제조되며, 비정전용량이 0
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제14항의 복합체; 및 상기 복합체에 접한 집전체;를 포함하고,상기 복합체와 상기 집전체는 바인더 없이 직접 접하는 것을 특징으로 하는 에너지 저장 디바이스
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제15항에 있어서, 상기 에너지 저장 디바이스는 슈퍼 커패시터, 리튬-황 배터리, 리튬 이온 배터리 또는 다가 이온 배터리인 것을 특징으로 하는 에너지 저장 디바이스
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