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신틸레이터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021003367
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 높은 발광 효율과 빠른 응답 특성을 가지는 신틸레이터 및 신틸레이터의 제조방법이 제시된다. 신틸레이터는 페로브스카이트 나노입자와 유기 화합물이 결합된 신틸레이터 조성물에 의해 성능이 나타난다. 단파장의 X-선 또는 광을 흡수하여 가시광을 형성하는 신틸레이터 조성물은 2개의 기판들 사이에 필름 타입으로 제작되거나, 가요성 기재 내에 분산된 형태로 제작된다. 또한, 신틸레이터 조성물을 이루는 유기 화합물은 단파장에 의해 전자를 생성하고, 형성된 전자는 페로브스카이트 나노입자에 전달된다. 페로브스카이트 나노입자에 전달된 전자에 의해 2차 전자/홀이 형성되고 전자/홀 재결합에 의해 페로브스카이트 나노입자의 발광 동작을 수행한다.
Int. CL G01T 1/20 (2006.01.01) G01T 1/02 (2006.01.01) C09K 11/66 (2006.01.01)
CPC G01T 1/20(2013.01) G01T 1/023(2013.01) C09K 11/665(2013.01) C01P 2002/34(2013.01)
출원번호/일자 1020190102646 (2019.08.21)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0024325 (2021.03.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.21)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형상 경기도 수원시 영통구
2 임현식 서울특별시 광진구
3 조상은 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0860530-84
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0043231-46
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0302072-90
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-0302071-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 기판과 하부 기판 사이에 배치된 신틸레이터 필름;상기 신틸레이터 필름을 밀봉하고, 상기 상부 기판 및 하부 기판을 접합하는 밀봉재를 포함하고, 상기 신틸레이터 필름은 페로브스카이트 나노입자의 표면에 화학적으로 결합된 유기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
2 2
제1항에 있어서, 상기 유기 화합물은 상기 페로브스카이트 나노입자의 밴드갭보다 높은 에너지를 가지는 광에 여기되어, 상기 페로브스카이트 나노입자의 밴드갭보다 큰 에너지를 가지는 광과 전자를 형성할 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 신틸레이터
3 3
제2항에 있어서, 상기 유기 화합물은 입사되는 X-선 또는 UV 광에 의해 전자를 발생하고, 상기 전자는 상기 페로브스카이트 나노입자로 이동하며, 상기 페로브스카이트 나노입자로 이동한 상기 전자는 2 차 전자/홀을 생성하고 전자-홀의 재결합에 의해 발광 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
4 4
제2항에 있어서, 상기 유기 화합물은 디페닐옥사졸을 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
5 5
제1항에 있어서, 상기 신틸레이터 필름은 유동성을 확보하기 위한 용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
6 6
제5항에 있어서, 상기 용매는 n-Octane, Cyclohexane, Chloroform 또는 Toluene 인 것을 특징으로 하는 신틸레이터
7 7
제1항에 있어서, 상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판은 쿼츠 또는 글라스 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
8 8
제1항에 있어서, 상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판은 PI(Polyimide), PC(Polycarbonate), PES(Polyethersulfone), PET(Polyethyleneterephthalate), PEN(Polyethylenenaphthalate), 또는 PAR(Polyarylate)을 가지는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
9 9
제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 나노입자는 직경이 10 nm 이상의 사이즈를 가지고, 물질 고유의 조성 또는 할라이드 원자의 종류에 따라 발광 파장이 결정되는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
10 10
페로브스카이트 나노입자들이 용매에 고르게 분산된 페로브스카이트 용액을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 용액에 유기 화합물을 투입하여 변색이 일어나는 신틸레이터 조성물을 형성하는 단계;하부 기판 상에 신틸레이터 조성물을 배치시키고, 상부 기판 또는 상기 하부 기판을 통해 압력을 하여 신틸레이터 필름을 형성하는 단계; 및상기 신틸레이터 필름이 형성된 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 이격공간을 밀봉재로 차폐하는 단계를 포함하는 필름형 신틸레이터의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 유기 화합물은 디페닐옥사졸인 것을 특징으로 하는 필름형 신틸레이터의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 페로브스카이트 나노입자는 CsPbX3 (X는 Cl, Br 또는 I)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 필름형 신틸레이터의 제조방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 신틸레이터 조성물을 형성하는 단계에서 상기 용매는 잔류하는 것을 특징으로 하는 필름형 신틸레이터의 제조방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 신틸레이터 조성물은 상기 페로브스카이트 나노입자에 디페닐옥사졸이 화학적으로 결합된 것을 특징으로 하는 필름형 신틸레이터의 제조방법
15 15
신축성 또는 가요성을 가지는 가요성 기재; 및상기 가요성 기재 내에 분산된 신틸레이터 조성물을 포함하고,상기 신틸레이터 조성물은페로브스카이트 나노입자와 상기 페로브스카이트 나노입자의 표면에 화학적으로 결합된 유기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
16 16
제15항에 있어서, 상기 페로브스카이트 나노입자는 직경이 10 nm 보다 큰 사이즈를 가지고, CsPbX3 (X는 Cl, Br 또는 I)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
17 17
제16항에 있어서, 상기 유기 화합물은 상기 페로브스카이트 나노입자 표면의 할라이드와 이온성 결합 또는 수소 결합되거나, 상기 페로브스카이트 나노입자의 세슘 양이온과 이온성 결합을 하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
18 18
제17항에 있어서, 상기 유기 화합물은 디페닐옥사졸을 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
19 19
제15항에 있어서, 상기 가요성 기재는 PDMS를 가지는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
20 20
제15항에 있어서, 상기 유기 화합물의 일부는 상기 페로브스카이트 나노입자에 화학적으로 결합되지 않고, 상기 가요성 기재에 잔류하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 동국대학교 중견연구자지원사업(이공) 페로브스카이트 (fully-inorganic metal halide) 반도체를 이용한 고감도 방사선 센서 개발