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적층 구조가 형성된 반도체 소자 기판을 준비하는 단계;상기 반도체 소자 기판 상에 증착 공정을 이용해서 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 봉지층을 형성하는 단계는,제1 무기물층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기물층 상의 유기물층을 형성하는 단계, 및상기 유기물층 상의 제2 무기물층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기물층을 형성하는 단계는, 면 소스(plane source) 진공증착 방식에 의해 유기물을 증착하는 것인,면 소스 진공증착 방식을 이용한 반도체 소자 봉지층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기물층은 상기 제1 무기물층 보다 두께가 더 두꺼운 것인, 면 소스 진공증착 방식을 이용한 반도체 소자 봉지층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기물층을 형성하는 단계는, 급속 열처리 방식(RTP)을 이용하는 것인,면 소스 진공증착 방식을 이용한 반도체 소자 봉지층의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 급속 열처리 방식은, 상기 증착 물질을 40 ℃/s 이상의 승온속도로 1000 ℃ 이상까지 승온시킨 후 증착하는 것인,면 소스 진공증착 방식을 이용한 반도체 소자 봉지층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기물층을 형성하는 단계는, 전기펄스를 이용한 유기물 증착을 수행하는 것인,면 소스 진공증착 방식을 이용한 반도체 소자 봉지층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기물층은 메틸사이클로헥산, 헥사플루오로프로필렌, 플루오로카본, 또는 폴리테트라플루오로에틸렌으 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 제1 무기물층 및 제2 무기물층 중 하나 이상은 Al2O3, SiO2, Si3N4, TiO2 및 Ta2O5 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,면 소스 진공증착 방식을 이용한 반도체 소자 봉지층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 무기물층은, 상기 유기물층으로의 산소 가스, 수분 및 둘 다의 접근을 방지하는 것인,면 소스 진공증착 방식을 이용한 반도체 소자 봉지층의 제조방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 반도체 소자 봉지층의 제조방법을 이용하여 형성된 반도체 소자 봉지층을 포함하는,반도체 부품
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