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인조흑연을 준비하는 단계;상기 인조흑연과 콜타르를 혼합하여 인조흑연에 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 코팅층이 형성된 인조흑연을 탄화시키는 단계;를 포함하고,상기 인조흑연은 구형화도가 0
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제1항에 있어서,상기 인조흑연을 준비하는 단계;에서, 인조흑연은 석탄계 코크스 유래 인조 흑연을 20중량% 이상 포함하는, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 인조흑연을 준비하는 단계;에서,인조흑연 전체 부피를 기준으로 입도가 6㎛ 내지 34㎛인 인조흑연의 부피가 70부피% 이상인, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 인조흑연을 준비하는 단계;에서,인조흑연 중 입도가 5㎛ 내지 10㎛인 인조흑연의 구형화도는 0
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제1항에 있어서, 상기 인조흑연과 콜타르를 혼합하여 인조흑연에 코팅층을 형성하는 단계;에서,콜타르는 인조흑연 100 중량부를 기준으로 1 내지 20중량부 포함되는 것인, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 인조흑연과 콜타르를 혼합하여 인조흑연에 코팅층을 형성하는 단계;에서,콜타르는 퀴놀린 불용분 (QI)이 콜타르 전체 중량에 대해 1 중량% 내지 7 중량%인, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 인조흑연과 콜타르를 혼합하여 인조흑연에 코팅층을 형성하는 단계;에서콜타르는 고정 탄소량이 콜타르 전체 중량에 대하여 10 내지 30 중량%인, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 인조흑연과 콜타르를 혼합하여 인조흑연에 코팅층을 형성하는 단계;에서,콜타르는 경질유분 함량이 콜타르 전체 중량에 대하여 30중량% 이하인, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 인조흑연과 콜타르를 혼합하여 인조흑연에 코팅층을 형성하는 단계;에서,콜타르는 톨루엔 불용분(TI)이 콜타르 전체 중량에 대해 50중량% 이하인, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 인조흑연과 콜타르를 혼합하여 인조흑연에 코팅층을 형성하는 단계;에서,콜타르의 베타레진 함량은 콜타르 전체 중량에 대해 50 중량% 이하인, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,인조흑연을 준비하는 단계;는코크스를 분쇄하는 단계; 및코크스를 흑연화시키는 단계; 를 포함하고,상기 코크스는 석탄계 코크스 또는 석탄계 코크스와 석유계 코크스의 혼합물이고,상기 석탄계 코크스와 석유계 코크스의 혼합물은 전체 중량에 대하여 석탄계 코크스를 20중량% 이상 포함하는, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 코크스를 분쇄하는 단계;는분쇄된 코크스의 구형화도를 조절하는 단계를 포함하는, 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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인조흑연; 및 상기 인조흑연 표면에 형성된 콜타르 유래 탄소 코팅층;을 포함하고,상기 인조흑연은 구형화도가 0
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제13항에 있어서,상기 인조흑연은 석탄계 코크스 유래 인조흑연을 20중량% 이상 포함하는, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제13항에 있어서,상기 콜타르 탄소 코팅층은 인조흑연 100 중량부를 기준으로 1 내지 20중량부 포함되는 것인, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제13항에 있어서,상기 콜타르는 퀴놀린 불용분 (QI)이 콜타르 전체 중량에 대해 1 중량% 내지 7 중량%인, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제13항에 있어서,상기 콜타르는 고정 탄소량이 콜타르 전체 중량에 대하여 10 내지 30 중량%인, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제13항에 있어서,상기 콜타르는 경질유분 함량이 콜타르 전체 중량에 대하여 30중량% 이하인, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제13항에 있어서,상기 콜타르는 톨루엔 불용분(TI)이 콜타르 전체 중량에 대해 50중량% 이하인, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제13항에 있어서,상기 콜타르는 베타레진 함량은 콜타르 전체 중량에 대해 50 중량% 이하인, 리튬 이차전지용 음극 활물질
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 리튬 이차전지용 음극 활물질 제조방법으로부터 제조된 음극 활물질을 포함하는 음극;양극; 및전해질을 포함하는, 리튬 이차전지
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