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도핑 그래핀의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 도핑 그래핀

  • 기술번호 : KST2021003454
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다결정 금속 촉매 박막을 비정상 결정립 성장법을 통해 단결정 금속 촉매 박막으로 변환하는 단계; 및 화학기상증착(Chemical vapor deposition: CVD)에 의해 상기 단결정 금속 촉매 박막 상에 도핑된 그래핀을 합성하는 단계;를 포함하는 도핑 그래핀의 제조 방법, 및 이에 의해 제조된 도핑 그래핀이 개시된다.
Int. CL C01B 32/186 (2017.01.01) B01J 23/755 (2006.01.01) B01J 35/02 (2006.01.01)
CPC C01B 32/186(2013.01) B01J 23/755(2013.01) B01J 35/02(2013.01)
출원번호/일자 1020190107718 (2019.08.30)
출원인 한국전력공사, 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0026649 (2021.03.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시
2 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김근수 서울시 성동구
2 남정태 서울시 광진구 군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0897648-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2021.02.22 수리 (Accepted) 4-1-2021-5068226-87
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2021.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2021-5068232-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다결정 금속 촉매 박막을 비정상 결정립 성장법을 통해 단결정 금속 촉매 박막으로 변환하는 단계; 및화학기상증착에 의해 상기 단결정 금속 촉매 박막 상에 도핑된 그래핀을 합성하는 단계;를 포함하는 도핑 그래핀의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 다결정 금속 촉매 박막은 순도가 99
3 3
제1항에 있어서,상기 다결정 금속 촉매 박막은 1층 이상의 층으로 구성되고,상기 층에는 니켈(Ni), 코발0트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 이트리움(Y), 지르코늄(Zr) 또는 이들의 조합이 포함되는 것인 도핑 그래핀의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 다결정 금속 촉매 박막은 압연금속박을 포함하는 도핑 그래핀 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 변환 단계는 다결정 금속 촉매 박막을 600 ℃ 이상 내지 금속 촉매의 융점 이하의 온도에서 1 내지 50 Torr의 저진공 압력 조건과 환원성 기체 분위기 하에서 1 시간 이상 열처리하는 단계를 포함하는 도핑 그래핀의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서상기 환원성 기체는 수소인, 도핑 그래핀의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,화학기상증착시 사용되는 탄소 전구체는 탄소 화합물과 질소 화합물 및 붕소 화합물 중 1종 이상; 또는함질소 탄소 화합물 및 함붕소 탄소 화합물 중 1종 이상;을 포함하는, 도핑 그래핀의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 탄소 전구체는 함질소 탄소 화합물을 포함하고,상기 함질소 탄소 화합물은 트리아진, 페나진, 피페라진, 피라진, 피리딘, 피리미딘, 피리다진 또는 이들의 조합을 포함하는, 도핑 그래핀의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 다결정 금속 촉매 박막은 압연동박이고, 상기 압연동박은 비정상 결정립 성장법을 통해 (111) 단결정 압연동박으로 변환되고,구리의 (111) 결정면 상에 질소 도핑된 그래핀이 합성되고,상기 질소 도핑된 그래핀은 n형 그래핀인, 도핑 그래핀의 제조 방법
10 10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조 방법으로 제조된 도핑 그래핀
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.