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(a) 우라늄으로 오염된 입자성 물질을 탄소원과 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; (b) 상기 혼합물을 건식 상태에서 400℃ 내지 700℃에서 염소화시켜 우라늄 염화물을 생성하는 단계; 및 (c) 상기 우라늄 염화물을 응축시키는 단계를 포함하는 우라늄으로 오염된 입자성 물질의 제염 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 입자성 물질은 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 칼륨 산화물, 철 산화물, 인 산화물, 칼슘 산화물, 나트륨 산화물, 마그네슘 산화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 우라늄으로 오염된 입자성 물질의 제염 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 입자성 물질이 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함하는 경우, 상기 (b) 단계에서 실리콘 염화물 또는 알루미늄 염화물은 생성되지 아니하는, 우라늄으로 오염된 입자성 물질의 제염 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 입자성 물질이 철 산화물을 포함하는 경우, 상기 (b) 및 (b) 단계에서 우라늄 염화물과 함께, 철 염화물을 생성 및 응축시키는, 우라늄으로 오염된 입자성 물질의 제염 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 탄소원의 평균 입도는 100 ㎛ 내지 400 ㎛인, 우라늄으로 오염된 입자성 물질의 제염 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 우라늄 염화물은 우라늄 오염화물, 우라늄 육염화물 또는 이들의 혼합물을 포함하는, 우라늄으로 오염된 입자성 물질의 제염 방법
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제1항에 있어서, (d) 상기 우라늄 염화물의 생성 및 응축에 의해 제염된 입자성 물질을 세척 및 중화시키는 단계를 추가로 포함하는, 우라늄으로 오염된 입자성 물질의 제염 방법
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우라늄으로 오염된 입자성 물질 및 탄소원을 혼합하기 위한 혼합기;상기 혼합물을 건식 상태에서 400℃ 내지 700℃에서 염소화시켜 우라늄 염화물을 생성하기 위한 염소화 반응기; 및상기 우라늄 염화물을 응축시키기 위한 응축기를 포함하는 우라늄으로 오염된 입자성 물질의 제염 시스템
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