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CZTSSe 광흡수층을 제조함에 있어서,Cu 전구체, Zn 전구체 및 Sn 전구체와 접촉하는 Se의 양을 조절함으로써 CZTSSe 광흡수층 내 결정립의 크기를 조절하는 방법
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제1항에 있어서,상기 결정립의 크기 조절은 CZTSSe 광흡수층 내 액상의 분율을 조절하여 달성되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe 광흡수층 내 결정립의 크기를 조절하는 방법
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제2항에 있어서,상기 액상은 Cu-Sn-Se 및 Cu-Sn-SSe로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 액상인 것을 특징으로 하는 CZTSSe 광흡수층 내 결정립의 크기를 조절하는 방법
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제1항에 있어서,상기 Cu 전구체, Zn 전구체 및 Sn 전구체는 순수한 금속 또는 금속 황화물인 것을 특징으로 하는 CZTSSe 광흡수층 내 결정립의 크기를 조절하는 방법
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제1항에 있어서,상기 Se는 고체 또는 기체 형태로 공급되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe 광흡수층 내 결정립의 크기를 조절하는 방법
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제1항에 있어서,상기 Cu 전구체, Zn 전구체 및 Sn 전구체는 Cu/Sn/Zn/기판 또는 Sn/Cu/Zn/기판 순서로 배치되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe 광흡수층 내 결정립의 크기를 조절하는 방법
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제1항에 있어서,상기 광흡수층 내의 Zn의 함량을 더 조절하는 것을 특징으로 CZTSSe 광흡수층 내 결정립의 크기를 조절하는 방법
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제1항의 CZTSSe 광흡수층 내 결정립의 크기를 조절하는 방법을 이용한 황화-셀렌화 단계를 포함하는 CZTSSe 광흡수층 제조방법
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제8항에 있어서,상기 황화-셀렌화 단계는 250℃ 내지 500℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe 광흡수층 제조방법
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제8항의 제조방법에 의하여 제조된 CZTSSe 광흡수층
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제10항의 광흡수층을 포함하는 태양전지
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