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복수 개의 입력 영역, 상기 복수 개의 입력 영역이 만나는 교차 영역, 및 상기 교차 영역에서 뻗어나오는 출력 영역을 포함하는 제1 자성층; 상기 제1 자성층의 상기 출력 영역 상에 형성된 비자성 금속층; 및상기 비자성 금속층의 상면에 형성된 제2 자성층;을 포함하는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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제1항에 있어서, 상기 비자성 금속층 및 상기 제2 자성층은, 상기 제1 자성층의 상기 교차 영역 및 상기 출력 영역의 상부에 위치한, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 자성층의 상기 출력 영역의 자화 방향과 상기 제2 자성층의 자화 방향은 서로 반대인, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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제1항에 있어서, 상기 논리 게이트 소자의 출력은, 상기 제2 자성층의 자화 방향에 대응하는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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제1항에 있어서,상기 복수 개의 입력 영역은, 세 개의 입력 영역으로 이루어지고, 상기 세 개의 입력 영역 중 하나의 입력 값의 설정에 따라 상기 논리 게이트 소자는 NAND 게이트 기능을 하거나 또는 NOR 게이트 기능을 할 수 있는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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6
제1항에 있어서, 상기 제2 자성층은, 상기 제1 자성층의 상기 출력 영역보다 더 돌출되며, 상기 제2 자성층의 상기 돌출된 부분은, 다른 논리 게이트 소자의 입력 영역에 연결되는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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7
제6항에 있어서, 상기 제2 자성층의 상기 돌출된 부분은, 수직자기이방성 층을 통해 상기 다른 논리 게이트 소자의 입력 영역에 연결되며, 상기 수직자기이방성 층의 상면은, 상기 제2 자성층의 상기 돌출된 부분의 하면에 접촉하며, 상기 수직자기이방성 층의 하면은, 상기 다른 논리 게이트 소자의 입력 영역에 접촉하는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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8
제7항에 있어서, 상기 수직자기이방성 층의 두께는, 상기 비자성 금속층의 두께에 상응하는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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9
제1항에 있어서, 상기 제2 자성층은, 상기 복수 개의 입력 영역 중 하나의 입력 값에 의해 상기 제1 자성층의 상기 교차 영역의 자화 방향이 뒤집히지 않도록, 상기 제1 자성층의 상기 교차 영역의 자화 방향을 붙잡아주는 역할을 하는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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10
제1항에 있어서, 상기 비자성 금속층은, 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층이 서로 반강자성을 띠도록 하는 제1 두께를 가지며,상기 논리 게이트 소자는 상기 복수 개의 입력 영역 중 하나의 입력 값의 설정에 따라 NAND 게이트 기능을 하거나 또는 NOR 게이트 기능을 할 수 있는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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11
제1항에 있어서, 상기 비자성 금속층은, 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층이 서로 동일한 방향의 자화를 갖도록 하는 제2 두께를 가지며,상기 논리 게이트 소자는 상기 복수 개의 입력 영역 중 하나의 입력 값의 설정에 따라 AND 게이트 기능을 하거나 또는 OR 게이트 기능을 할 수 있는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자
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복수 개의 입력 영역, 상기 복수 개의 입력 영역이 만나는 교차 영역, 및 상기 교차 영역에서 뻗어나오는 출력 영역을 포함하는 제1 자성층을 형성하는 단계와, 상기 제1 자성층의 상기 출력 영역 상에 비자성 금속층을 형성하는 단계와, 상기 비자성 금속층의 상면에 제2 자성층을 형성하는 단계를 포함하는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 제1 자성층, 상기 비자성 금속층, 및 상기 제2 자성층은, 전자 빔 리소그래피를 통해 패터닝되는, 자구벽 이동 방식의 논리 게이트 소자의 제조 방법
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