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뉴로모픽 광 검출기로서,기판 위에 배치되는 산화아연층;상기 산화아연층의 일측에 배치되는 제1전극층; 및상기 산화아연층의 타측에 배치되는 제2전극층; 을 포함하고,상기 산화아연층은,산화아연 나노핀 구조를 포함하고,상기 산화아연 나노핀 구조는,상기 일측 및 상기 타측 사이가 10nm 내지 10㎛의 폭을 갖고, 상기 기판에 대해 수직 방향으로 성장하여 형성되는, 뉴로모픽 광 검출기
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청구항 1에 있어서,상기 뉴로모픽 광 검출기는,광 펄스 입력에 대해 상기 제1전극층 및 상기 제2전극층에 유도되는 광전류를 출력하는, 뉴로모픽 광 검출기
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청구항 1에 있어서,상기 산화아연층은,10 내지 1000nm의 두께를 갖는, 뉴로모픽 광 검출기
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)인, 뉴로모픽 광 검출기
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청구항 1에 있어서,상기 제1전극층 및 상기 제2전극층은,Ag, Al 및 ITO 중 1 이상을 포함하는, 뉴로모픽 광 검출기
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뉴로모픽 광 검출기의 제조방법으로서,판 형태의 기판을 세척하는 단계;상기 기판의 상면에 기설정된 패턴으로 제1전극층을 증착하는 단계;상기 제1전극층 및 기판의 상면에 산화아연 나노핀 구조를 포함하는 산화아연층을 증착하는 단계;상기 산화아연층의 상면에 제2전극층을 증착하는 단계;및 상기 제1전극층의 상측에 형성된 산화아연층 및 제2전극층을 필링하는 단계; 를 포함하고,상기 산화아연 나노핀 구조는,상기 일측 및 상기 타측 사이가 10nm 내지 10㎛의 폭을 갖고, 상기 기판에 대해 수직 방향으로 성장하여 형성되는, 뉴로모픽 광 검출기의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 제1전극층 및 상기 제2전극층을 증착하는 단계는,DC 스퍼터링 공정에 의해 수행되는, 뉴로모픽 광 검출기의 제조방법
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