| 1 |
1
2차원 물질 기반 인공 시냅스로서,제1전극층;상기 제1전극층 위에 배치되고, 수직으로 정렬된 층상구조의 이황화텅스텐을 포함하는 이황화텅스텐층;상기 이황화텅스텐층 위에 배치되고, 금속산화물을 포함하는 산화금속층; 및상기 산화금속층 위에 배치되는 제2전극층; 을 포함하고,상기 이황화텅스텐층 및 상기 산화금속층은상기 제1전극층의 상면에 이황화텅스텐층을 증착하는 단계; 및상기 이황화텅스텐층의 상면에 산화금속층을 증착하는 단계; 를 통해 형성되고,상기 산화금속층은,수직으로 정렬된 층상구조에 의해 형성되는 상기 이황화텅스텐층의 기공에 침투하여 채워지는 형태를 갖는, 2차원 물질 기반 인공 시냅스
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 제2전극층은,기설정된 패턴 배열에 따라 형성되는, 2차원 물질 기반 인공 시냅스
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 산화금속층은 산화아연을 포함하는, 2차원 물질 기반 인공 시냅스
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 제1전극층은 알루미늄을 포함하고,상기 제2전극층은 은을 포함하는, 2차원 물질 기반 인공 시냅스
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 이황화텅스텐층 및 상기 산화금속층은 RF스퍼터링공정으로 형성되고,상기 제1전극층 및 상기 제2전극층은 DC스퍼터링공정으로 형성되는, 2차원 물질 기반 인공 시냅스
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 이황화텅스텐층의 두께는 20 내지 500nm이고,상기 산화금속층의 두께는 50 내지 500nm인, 2차원 물질 기반 인공 시냅스
|
| 8 |
8
2차원 물질 기반 인공 시냅스의 제조방법으로서,기판에 제1전극층을 형성하는 단계;상기 제1전극층의 상면에 이황화텅스텐층을 증착하는 단계;상기 이황화텅스텐층의 상면에 산화금속층을 증착하는 단계; 및상기 산화금속층의 상면에 제2전극층을 증착하는 단계; 를 포함하고,상기 산화금속층은,수직으로 정렬된 층상구조에 의해 형성되는 상기 이황화텅스텐층의 기공에 침투하여 채워지는 형태를 갖는, 2차원 물질 기반 인공 시냅스의 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 제2전극층을 증착하는 단계는,쉐도우 마스크를 사용하여 제2전극층을 증착하여 상기 제2전극층이 기설정된 패턴 배열에 따라 형성되도록 하는, 2차원 물질 기반 인공 시냅스의 제조방법
|
