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원적외선을 이용하여 무화과를 건조하는 단계를 포함하는, 무화과 건조칩의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 건조는 원적외선 건조기를 이용하여 진행되며, 상기 원적외선 건조기 내부의 기류속도는 45 내지 65kw/h인 것인, 무화과 건조칩의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 건조는 50 내지 90℃에서 100 내지 200분간 진행되는 것인, 무화과 건조칩의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 건조는 상이한 4가지 온도 조건과 기류속도 조건에서 총 4단계로 구분되어 진행되는 것인, 무화과 건조칩의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 건조는 건조가 진행됨에 따라 낮은 온도에서 진행하는 것인, 무화과 건조칩의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 총 4단계 중 1단계의 건조는 70~90℃ 온도 및 기류속도 45~55kw에서 진행되고, 2단계의 건조는 62~82℃ 온도 및 기류속도 55~65kw에서 진행되고, 3단계의 건조는 58~78℃ 온도 및 기류속도 55~65kw에서 진행되고, 4단계의 건조는 52~72℃ 온도 및 기류속도 55~65kw에서 진행되는 것인, 무화과 건조칩의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 무화과의 품종은 바나네 또는 승정도우핀인 것인, 무화과 건조칩의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 무화과의 건조 전 절편 두께는 3 내지 11mm인 것인, 무화과 건조칩의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 건조에 사용되는 무화과는 숙기 60 내지 95%에 해당하는 것인, 무화과 건조칩의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 건조에 의해 무화과 건조칩은 가바함량이 증가되는 것인, 무화과 건조칩의 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 가바함량이 증가된 무화과 건조칩
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