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하드웨어 뉴럴 네트워크 구현을 위한 균일한 산화물 멤리스터 어레이 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021003748
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로, 균일한 산소 농도를 갖는 저항 변화층을 포함하는 멤리스터 어레이 소자 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 멤리스터 어레이 소자 제조 방법은, 기판 상에, 제1 방향으로 연장되고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되는 복수의 하부 전극을 형성하고, 기판 상에, 각각의 하부 전극을 덮는 저항 변화층을 형성하고, 저항 변화층 상에, 제2 방향으로 연장되고, 제1 방향으로 이격된 복수의 상부 전극을 형성하는 것을 포함하고, 저항 변화층을 형성하는 것은 TiO2 타겟을 이용한 교류 고주파 스퍼터링 방법을 통해 TiOx막을 증착하는 것을 포함하고, 저항 변화층은 하부 전극의 측벽을 감싸고 하부 전극의 상면을 덮는다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) H01L 27/24 (2006.01.01) G06N 3/063 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1625(2013.01) H01L 45/1233(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/146(2013.01) H01L 45/1666(2013.01) H01L 27/2481(2013.01) G06N 3/063(2013.01)
출원번호/일자 1020210033683 (2021.03.16)
출원인 삼성전자주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0036876 (2021.04.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 왕건욱 서울특별시 성북구
2 장진곤 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2021-0305275-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에, 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되는 복수의 하부 전극을 형성하고,상기 기판 상에, 각각의 상기 하부 전극을 덮는 저항 변화층을 형성하고, 상기 저항 변화층 상에, 상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향으로 이격된 복수의 상부 전극을 형성하는 것을 포함하고,상기 저항 변화층을 형성하는 것은 TiO2 타겟을 이용한 교류 고주파 스퍼터링 방법을 통해 TiOx막을 증착하는 것을 포함하고,상기 저항 변화층은 상기 하부 전극의 측벽을 감싸고 상기 하부 전극의 상면을 덮는 멤리스터 어레이 소자 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 저항 변화층을 형성하는 것은 단일막의 상기 TiOx막을 형성하는 멤리스터 어레이 소자 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 저항 변화층은 TiOx를 포함하고,상기 x는 2
4 4
제 1항에 있어서,상기 저항 변화층을 형성하는 것은 상기 TiOx막을 증착한 후 산화공정이 수행되지 않는 멤리스터 어레이 소자 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극은 동일한 물질을 포함하는 멤리스터 어레이 소자 제조 방법
6 6
기판;상기 기판 상에, 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 복수의 하부 전극;상기 기판 상에, 상기 하부 전극의 측벽을 감싸고, 상기 하부 전극의 상면을 덮는 저항 변화층으로, 상기 저항 변화층은 단일층인 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상에, 상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향으로 이격된 복수의 상부 전극을 포함하고,상기 저항 변화층은 TiOx이고, 상기 x는 2
7 7
제 6항에 있어서,상기 저항 변화층은 인가되는 전기적 신호의 스윕에 따라 아날로그 방식으로 변하는 저항 특성을 갖는 멤리스터 어레이 소자
8 8
제 6항에 있어서,상기 저항 변화층과 상기 상부 전극 사이의 인터페이스층을 더 포함하는 멤리스터 어레이 소자
9 9
제 8항에 있어서,상기 상부 전극은 금속 A를 포함하고,상기 인터페이스층은 상기 금속 A의 산화물인 멤리스터 어레이 소자
10 10
제 6항에 있어서,상기 하부 전극과 상기 상부 전극은 동일한 물질로 형성되고, 상기 물질은 알루미늄인 멤리스터 어레이 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교 개인기초연구(과기정통부)(R&D) 에너지 절감형 스마트 단일 뉴럴 네트워크를 위한 가소성 고차원 튜닝 및 누설 뉴럴 신호 제어 가능한 이종접합형 인공시냅스 소재/소자 개발
2 교육부 고려대학교 이공학학술연구기반구축(R&D) 시스템 내부 학습 기반의 뉴로모픽 컴퓨팅을 위한 균일한 인공 시냅스 어레이의 하드웨어 동작 구현