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고온초전도 선재의 제조방법 및 이를 이용한 다중 초전도층을 갖는 고온초전도 선재

  • 기술번호 : KST2021003782
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고온초전도선재의 제조방법 및 이를 이용한 다중 초전도층을 갖는 고온초전도선재에 관한 것이다. 본 발명은 적어도 기판-초전도층-보호층을 포함하는 초전도 선재 한 쌍의 보호층이 서로 마주보도록 초전도 선재를 적층하는 적층단계와, 적층된 한 쌍의 초전도 선재를 열처리하여 마주보는 보호층이 서로 확산접합 되면서 접합보호층으로 형성되는 접합단계와, 상기 접합보호층이 형성된 초전도 선재에서 어느 일측의 초전도층이 외부로 노출되도록 해당 초전도층 상측의 층상구조를 제거하는 박리단계 및 상기 박리단계를 통해 외부로 노출되는 초전도층의 상측에 상기 접합보호층과 동일 재질의 외곽보호층을 형성하는 최외곽보호층 형성단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 요구되는 전류밀도에 따라 초전도층을 용이하게 추가 적층하여 다중 초전도층을 형성할 수 있으며, 페이스트 충진과정을 통해 적층된 보호층 사이의 갭(Gab)을 동일 재질의 페이스트로 충진하여 함께 열처리함으로써 기판을 박리하는 과정에서 초전도층과 기판이 효과적으로 분리될 수 있는 이점을 가진다.
Int. CL H01F 41/04 (2006.01.01) H01F 6/06 (2006.01.01) H01B 12/06 (2006.01.01)
CPC H01F 41/048(2013.01) H01F 6/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) Y02E 40/60(2013.01) Y10S 505/884(2013.01) Y10S 336/01(2013.01)
출원번호/일자 1020190119951 (2019.09.27)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0037378 (2021.04.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하홍수 경상남도 창원시 성산구
2 김관태 경상남도 김해시 장유로 ***,
3 노현우 경상남도 창원시 성산구
4 김호섭 경상남도 김해시 번화*로 ***, *
5 오상수 경상남도 김해시 율하*로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0992930-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.12.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5288766-89
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번호 청구항
1 1
적어도 기판-초전도층-보호층을 포함하는 초전도 선재 한 쌍의 보호층이 서로 마주보도록 초전도 선재를 적층하는 적층단계;적층된 한 쌍의 초전도 선재를 열처리하여 마주보는 보호층이 서로 확산접합 되면서 접합보호층으로 형성되는 접합단계;상기 접합보호층이 형성된 초전도 선재에서 어느 일측의 초전도층이 외부로 노출되도록 해당 초전도층 상측의 층상구조를 제거하는 박리단계; 및상기 박리단계를 통해 외부로 노출되는 초전도층의 상측에 상기 접합보호층과 동일 재질의 외곽보호층을 형성하는 최외곽보호층 형성단계;를 포함하는 고온초전도 선재의 제조방법
2 2
기판-제1완충층-제1초전도층-제1보호층을 포함하는 제1초전도 선재에 기판-제2초전도층-제2보호층을 포함하는 제2초전도 선재의 제2보호층이 상기 제1보호층과 서로 마주보도록 적층하는 적층단계;적층된 상기 제1, 2 보호층이 열처리에 의해 서로 확산접합되어 접합보호층으로 형성되는 접합단계;상기 제2초전도층이 외부로 노출되도록 제2초전도층 상측의 층상구조를 제거하는 박리단계;외부로 노출되는 제2초전도층의 상측에 상기 접합보호층과 동일 재질의 외곽보호층을 형성하는 외곽보호층 형성단계; 및기판-제N초전도층-제N보호층을 포함하는 제N초전도 선재의 상기 제N보호층을 상기 외곽보호층과 마주보도록 적층하는 추가 적층단계;적층된 상기 외곽보호층과 제N보호층이 열처리에 의해 서로 확산접합되어 추가 접합보호층으로 형성되는 추가 접합단계; 그리고,상기 제N초전도층 상측의 층상구조를 제거하여 제N초전도층이 외부로 노출되도록 하는 추가 박리단계; 및상기 추가 박리단계를 통해 노출되는 제N초전도층의 상측에 상기 추가 접합보호층과 동일 재질의 외곽보호층을 형성하는 추가 최외곽보호층 형성단계;를 포함하며,상기 추가 적층단계와 추가 접합단계, 추가 박리단계 및 추가 최외곽보호층 형성단계는 초전도층의 적층 갯수에 따라 N-2회 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 고온초전도 선재의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 외곽보호층이 형성된 이후 초전도층의 추가 적층이 없을 경우에는 안정화층 형성단계;가 수행되는 것을 특징으로 하는 고온초전도 선재의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 적층단계 이후에는 적층된 보호층 사이의 갭(Gab)을 동일 재질로 충진하는 페이스트 충진과정이 수행되어, 상기 접합단계에서 열처리시 보호층 사이의 계면과 보호층과 충진된 페이스트의 계면이 모두 확산접합되어 하나의 접합보호층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고온초전도 선재의 제조방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 적층단계 이후 및 추가 적층단계 이후에는 제1보호층과 제2보호층 사이의 갭(Gab) 및 제N보호층과 외곽보호층 사이의 갭(Gab)을 각각 동일 재질로 충진하는 페이스트 충진과정이 각각 수행되는 것을 특징으로 하는 고온초전도 선재의 제조방법
6 6
제 2 항의 고온초전도 선재의 제조방법에 의해 형성되며,기판과, 상기 기판의 상측에 구비되는 제1완충층과,상기 제1완충층의 상측에 구비되는 제1초전도층과,상기 제1초전도층의 상측에 구비되는 접합보호층과,상기 접합보호층의 상측에 구비되는 제2초전도층과,상기 제2초전도층의 상측으로 N-2개의 접합보호층과 제N초전도층이 번갈아 구비되며,마지막으로 적층된 초전도층의 상측에 구비되는 외곽보호층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 다중 초전도층을 갖는 고온초전도 선재
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제 6 항에 있어서, 상기 접합보호층과 외곽보호층은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 레늄(Re) 중 어느 하나로 형성되거나, 이의 혼합조성으로 형성는 것을 특징으로 하는 다중 초전도층을 갖는 고온초전도 선재
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제 6 항에 있어서, 상기 기판과 외곽보호층을 모두 감싸는 금속코팅층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 다중 초전도층을 갖는 고온초전도 선재
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 한국전기연구원 주요사업비 다층 고온초전도선재 개발