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치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민(aryl-hexamine)을 포함하는 유기리간드와 Ni이 분쇄형으로 반복 결합된 2차원 전기전도성 Ni-유기구조체; 및 환원된 그래핀옥사이드(rGO);를 포함하고,상기 2차원 전기전도성 Ni-유기구조체는 2차원 구조체가 뭉쳐져 구형입자를 이루고,상기 환원된 그래핀옥사이드(rGO)는 나노시트들이 중첩되어 있는 형태이며,상기 구형입자들이 상기 나노시트들에 쌓여져 표면 전체에 균일하게 분포되고, 상기 나노시트들 사이에 들어가 있는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체
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제1항에 있어서,상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 이차전지 전극재료, 슈퍼 커패시터 전극재료, 및 전기화학적 센서재료 중에서 선택된 어느 하나의 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체
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제1항에 있어서,상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 치환 또는 비치환된 벤젠-헥사아민(benzene-hexamine), 치환 또는 비치환된 나프탈렌-헥사아민(naphthalene-hexamine), 치환 또는 비치환된 안트라센-헥사아민(anthracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 테트라센-헥사아민(tetracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 펜타센-헥사아민(pentacene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페난트렌-헥사아민(phenanthrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 파이렌-헥사아민(pyrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 크리센-헥사아민(chrysene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페릴렌-헥사아민(perylene-hexamine), 치환 또는 비치환된 플루오렌-헥사아민(fluorene-hexamine), 치환 또는 비치환된 코로넨-헥사아민(coronene-hexamine), 및 치환 또는 비치환된 오발렌-헥사아민(ovalene-hexamine) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체
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제3항에 있어서,상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 하기 화합물 1 내지 7 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체
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제3항에 있어서,상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 상온에서 전기전도도가 1 내지 10,000 S/m 인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체
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6
제1항에 있어서,상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 BET 표면적은 10 내지 3,000 m2/g 인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체
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7
제1항에 있어서,상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 총 공극 부피는 0
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8
제7항에 있어서,상기 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체는 2차원 Ni-유기구조체와 rGO가 1:0
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9
제1항 내지 제8항 중에서 선택된 어느 한 항의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체를 포함하는 이차전지용 또는 슈퍼커패시터용 전극
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10
(a) 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민(aryl-hexamine)을 포함하는 유기리간드와 Ni이 분쇄형으로 반복 결합된 2차원 Ni-유기구조체를 용매에 분산시킨 2차원 Ni-유기구조체 분산액, 및 그래핀옥사이드를 용매에 분산시킨 그래핀옥사이드 분산액을 제조하는 단계;(b) 상기 2차원 Ni-유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액을 혼합하여 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액을 제조하는 단계;(c) 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액에서 용매를 분리하고 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체를 제조하는 단계; 및(d) 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체를 열처리로 환원시켜 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체를 제조하는 단계;를 포함하는 제1항의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법
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11
제10항에 있어서,상기 용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, IPA(isopropyl alcohol), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸포름아마이드(DMF), n-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아마이드(DMAC), 및 트리에틸포스페이트(TEP) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법
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12
제10항에 있어서,상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 치환 또는 비치환된 벤젠-헥사아민(benzene-hexamine), 치환 또는 비치환된 나프탈렌-헥사아민(naphthalene-hexamine), 치환 또는 비치환된 안트라센-헥사아민(anthracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 테트라센-헥사아민(tetracene-hexamine), 치환 또는 비치환된 펜타센-헥사아민(pentacene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페난트렌-헥사아민(phenanthrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 파이렌-헥사아민(pyrene-hexamine), 치환 또는 비치환된 크리센-헥사아민(chrysene-hexamine), 치환 또는 비치환된 페릴렌-헥사아민(perylene-hexamine), 치환 또는 비치환된 플루오렌-헥사아민(fluorene-hexamine), 치환 또는 비치환된 코로넨-헥사아민(coronene-hexamine), 및 치환 또는 비치환된 오발렌-헥사아민(ovalene-hexamine) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법
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13
제10항에 있어서,상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴헥사아민은 하기 화합물 1 내지 7 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법
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제10항에 있어서,단계 (b)에서 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 혼합 분산액은 상기 2차원 Ni-유기구조체 분산액과 그래핀옥사이드 분산액을 1:0
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15
제10항에 있어서,단계 (b)에서 상기 혼합은 기계적 혼합 또는 초음파 혼합에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법
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16
제10항에 있어서,단계 (c)에서 상기 2차원 Ni-유기구조체/GO 복합체는 멤브레인 필터 페이퍼를 이용하여 박막으로 제조되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 멤브레인 필러 페이퍼는 셀룰로스 아세테이트(cellulose acetate), 니트로셀룰로오스(Nitrocellulose), 셀룰로스 에스터(cellulose esters), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene), 폴리설폰(polysulfone), 폴리에테르설폰(polyether sulfone), 폴리아크릴로나이트릴(polyacrilonitrile), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리비닐리덴 플루라이드(polyvinylidene fluoride (PVDF), 및 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride) 중에서 선택된 어느 하나의 소재인 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법
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18
제10항에 있어서,단계 (d)의 상기 열처리는 150 내지 250℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법
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제18항에 있어서,단계 (d)의 상기 열처리는 0
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제10항에 있어서,단계 (d)의 상기 열처리는 질소 기체, 아르곤 기체, 질소/수소 혼합 기체, 및 아르곤/수소 혼합 기체 중에서 선택된 어느 하나의 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법
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제10항 내지 제20항 중에서 선택된 어느 한 항의 2차원 Ni-유기구조체/rGO 복합체의 제조방법을 포함하는 이차전지용 또는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
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