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ⅰ) 용액 상태의 폴리카보실란(polycarbosilane, 'PCS')을 기능기 개질제로 처리하여 개질시키는 단계;ⅱ) 개질된 PCS 용액을 겔 상태로 전환시킨 후, 분말화하는 단계;ⅲ) 개질된 PCS 분말을 블록 형상으로 성형하는 단계; 및ⅳ) 불활성 분위기하에서 열처리하여 열분해시키는 단계를 포함하는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ⅰ) 단계는, 하기 식:[상기 식에서, A는 FT-IR 측정결과에서 기능기 각각의 피크 흡수도를 나타내며, raw PCS는 개질되기 전의 PCS를 나타내며, treated PCS는 개질된 후의 PCS를 나타낸다
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제1항에 있어서,상기 기능기 개질제는 액상 가교제 또는 기상 가교제의 일 이상을 포함하는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기능기 개질제는 H2O2, O2, 오존, 할로겐 및 알콕사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상을 포함하는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기능기 개질제와 상기 PCS는 0
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제3항에 있어서,상기 기능기 개질제는 액상 가교제이며,상기 ⅰ) 단계는, PCS 용액을 제조하는 단계; 및상기 PCS 용액에 액상 가교제를 첨가한 후 분쇄함으로써, PCS의 기능기 간의 가교반응이 일어나도록 개질시키는 단계를 포함하는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 기능기 개질제는 기상 가교제이며,상기 ⅰ) 단계는, PCS 용액을 제조하는 단계; 및상기 PCS 용액에 기상 가교제를 접촉시킨 후 분쇄함으로써, PCS의 기능기 간의 가교반응이 일어나도록 개질시키는 단계를 포함하는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 기상 가교제는 10 내지 80% 농도를 갖는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 접촉은 100℃ 내지 300℃ 범위의 온도에서 이루어지는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ⅱ) 단계는,개질된 PCS 용액을 50℃ 내지 100℃ 범위의 온도에서 저온 건조시켜 겔 상태로 전환시키는 단계; 및진공 분위기하, 150℃ 내지 200℃ 범위의 온도에서 건조시킴으로써 개질된 PCS를 분말화하는 단계를 포함하는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Ⅳ) 단계는 1000℃ 내지 1400℃ 범위의 온도에서 이루어지는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용액 상태의 PCS는 합성 과정에서의 도핑에 의해 아이오다인, 티타늄, 철, 지르코늄, 알루미늄 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상의 도핑 원소를 포함하는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ⅰ) 단계 전에, 상기 용액 상태의 PCS를, 아이오다인 용액, 티타늄이소프로폭사이드(titanium isopropoxide) 용액, 철 아세틸아세토네이트(iron acetylacetonate) 용액, 지르코늄 이소프로폭사이드(zirconium isopropoxide) 용액, 알루미늄 아세틸아세토네이트(aluminum acetylacetonate) 용액 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상의 용액과 액상 블렌딩하여, 상기 용액 상태의 PCS에 아이오다인, 티타늄, 철, 지르코늄, 알루미늄 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상의 도핑 원소를 포함시키는 단계를 더 포함하는비정질 SiC 블록의 제조방법
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 비정질 SiC 블록의 제조방법에 의해 제조된, β상 비정질 SiC의 XRD(X-ray diffraction) 패턴을 갖는 비정질 SiC 블록
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