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이온 전도성 수지 및 관능화된 탄소 양자점을 포함하며,상기 관능화된 탄소 양자점은 탄소 양자점 및 상기 탄소 양자점의 표면에 도입된 관능화기를 포함하는 분리막
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 양자점의 표면에 도입된 관능화기는 술폰산기, 아민기, 아닐린기, 붕소계 화합물의 잔기, 또는 불소계 화합물의 잔기인 분리막
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제 1 항에 있어서,상기 이온 전도성 수지는 양이온 전도성 수지인 분리막
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제 3 항에 있어서,상기 양이온 전도성 수지는 술폰화 테트라플루오로에틸렌계 고분자(sulfonated tetrafluoroethylene-based polymer), 술폰화 폴리이미드(sulfonated polyimide, sPI), 술폰화 폴리아릴렌에테르술폰(sulfonated poly(arylene ether sulfone), sPAES), 술폰화 폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone, sPEEK), 술폰화 폴리에테르케톤(sulfonated polyetherketone, sPEK), 폴리비닐리덴 플로라이드-그라프트-폴리스티렌 술폰산(poly(vinylidene fluoride)-graft-poly(styrene sulfonic acid), PVDF-g-PSSA) 및 술폰화 폴리플루오레닐 에테르케톤(sulfonated poly(fluorenyl ether ketone)) 중 적어도 하나를 포함하는 분리막
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제 1 항에 있어서,상기 관능화된 탄소 양자점은 상기 이온 전도성 수지 100 중량부 대비 0
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제 1 항에 있어서,상기 관능화된 탄소 양자점은 상기 이온 전도성 수지에 분산되어 있는 분리막
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제 1 항에 있어서,상기 관능화된 탄소 양자점은 결정성 탄소를 포함하는 분리막
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제 1 항에 있어서,상기 관능화된 탄소 양자점의 평균 크기(D50)는 1 nm 내지 20 nm의 범위 내인 분리막
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제 1 항에 있어서,상기 이온 전도성 수지의 분자량(Mw)은 20,000 g/mol 내지 300,000 g/mol인 분리막
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 분리막을 포함하는 연료전지
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 분리막을 포함하는 물분해 장치
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