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반도체 기판 상에 형성되는 스트레인게이지 소자에 있어서, 상기 기판의 소자부 상에 형성되며, 상호 직교하면서 사각 형태를 이루는 복수의 저항패턴; 일단이 상기 복수의 저항패턴 각각에 연결되는 복수의 연결패턴; 및 상기 복수의 연결패턴 각각의 타단에 연결되는 복수의 금속패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은 상기 소자부의 외부에 형성되는 주변부; 및 상기 주변부와 상기 소자부를 연결하되, 상기 주변부와의 연결 부분이 상대적으로 넓고, 상기 소자부와의 연결 부분이 상대적으로 좁은 형태를 가지도록 테이퍼지게 형성되는 연결부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자
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제1항에 있어서, 상기 복수의 저항패턴 각각은 한번 또는 2번 이상 접혀져 구불구불한 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자
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제1항에 있어서, 상기 소자부의 각 변의 중심에서 상기 소자부의 내측으로 홈이 형성되고, 상기 연결부는 상기 홈의 내측의 소자부와 주변부를 연결하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자
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반도체 기판 상에서 스트레인게이지 소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판을 마련하는 단계; 및 상기 기판의 소자부에 상호 직교하면서 사각 형태를 이루는 복수의 저항패턴과, 일단이 상기 복수의 저항패턴 각각에 연결되는 복수의 연결패턴과, 상기 복수의 연결패턴 각각의 타단에 연결되는 복수의 금속패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자를 제조하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 형성하는 단계는 상기 복수의 저항패턴 각각을 한번 또는 2번 이상 접혀져 구불구불한 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자를 제조하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 형성하는 단계는 상기 기판의 상면 및 하면에 산화막과 질화막을 순차로 증착하는 단계; 상기 산화막과 질화막을 이온주입방지막으로 하여 상기 기판 상에 저농도 이온 주입을 통해 상기 저항패턴을 형성하는 단계; 상기 산화막과 질화막을 이온주입방지막으로 하여 상기 기판 상에 고농도 이온주입을 통해 일단이 상기 저항패턴과 연결된 상기 연결패턴을 형성하는 단계; 상기 연결패턴의 타단에 금속패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자를 제조하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 형성하는 단계 후, 상기 기판의 소자부, 연결부 및 주변부가 구분되도록 상기 기판의 일부를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자를 제조하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 제거하는 단계 후, 상기 소자부가 뜬 구조물 형태가 되도록 상기 기판의 제1 실리콘층 및 절연층의 주변부를 제외한 나머지 부분을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자를 제조하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 형성하는 단계는 상기 연결부를 상기 주변부와의 연결 부분이 상대적으로 넓고, 상기 소자부와의 연결 부분이 상대적으로 좁은 형태를 가지도록 테이퍼지게 형성하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자를 제조하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 형성하는 단계는 상기 소자부의 각 변의 중심에서 상기 소자부의 내측으로 홈을 형성하고, 상기 홈의 내측의 소자부와 상기 주변부가 연결되도록 상기 연결부를 형성하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자를 제조하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 기판을 마련하는 단계는 제1 실리콘층, 절연층 및 제2 실리콘층이 순차로 적층된 반도체 기판을 마련하는 것을 특징으로 하는 스트레인게이지 소자를 제조하는 방법
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