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금속나노와이어를 이용한 투명전극 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021003899
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속나노와이어를 이용한 투명전극 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 저저항에서도 헤이즈 특성을 개선하기 위한 것이다. 본 발명은 은나노와이어의 에칭을 통해 직경이 줄어든 금속나노와이어를 이용한 투명전극 및 그의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 투명전극의 제조에 일반적으로 사용되는 금속나노와이어를 사용하면서 저저항에서도 헤이즈 특성을 개선할 수 있다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) B23H 9/02 (2006.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 1/02(2013.01) B23H 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020190120364 (2019.09.30)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0038748 (2021.04.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.11)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신권우 경기도 화성시
2 장덕진 경기도 성남시
3 이지영 경기도 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0995438-13
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0258416-91
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 위에 습식 에칭에 의해 직경을 줄인 금속나노와이어를 포함하는 투명전극을 형성하는 단계;를 포함하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속나노와이어의 소재는 은, 금 및 구리 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 금속나노와이어의 에칭액은 산성 계열 및 염기성 계열 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 투명전극을 형성하는 단계는,상기 기판 위에 금속나노와이어가 포함된 코팅액을 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 코팅층에 포함된 금속나노와이어를 습식 에칭하여 직경을 줄이는 에칭 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 에칭 단계는 침지, 스프레이, 캐스팅 및 스핀코팅 중에 적어도 하나의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 에칭 단계에서,에칭 시간은 에칭액의 농도에 반비례하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극의 제조 방법
7 7
제3항에 있어서, 상기 투명전극을 형성하는 단계에서,상기 금속나노와이어의 에칭액을 금속나노와이어가 포함된 코팅액에 첨가하는 단계; 및상기 에칭액이 첨가된 코팅액을 기판에 코팅하여 상기 투명전극을 형성하는 코팅 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 첨가하는 단계에서,상기 에칭액에 의해 상기 코팅액에 포함된 금속나노와이어의 직경이 줄어드는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 코팅 단계에서,상기 코팅액에 첨가된 에칭액에 의해 상기 코팅액에 포함된 금속나노와이어의 직경이 줄어드는 것을 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극의 제조 방법
10 10
기판 위에 금속나노와이어가 포함된 코팅액을 코팅하여 형성된 투명전극으로, 상기 금속나노와이어를 습식 에칭하여 직경을 줄인 금속나노와이어를 포함하는 투명전극
11 11
제10항에 있어서,상기 직경을 줄인 금속나노와이어는 상기 기판 위에 금속나노와이어가 포함된 코팅액을 코팅하여 코팅층을 형성한 후, 상기 코팅층에 포함된 금속나노와이어를 습식 에칭하여 형성한 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극
12 12
제10항에 있어서,상기 직경을 줄인 금속나노와이어는 금속나노와이어의 에칭액을 금속나노와이어가 포함된 코팅액에 첨가하여 형성한 것을 특징으로 하는 금속나노와이어를 이용한 투명전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업부 (주)상보 산업핵심기술개발사업 (R)곡률반경 1mm에서 저항 안정성을 확보할 수 있는 30Ω/sq급 폴더블 은나노와이어 투명전극필름 및 터치센서 개발