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상부 베이스 판 및 하부 베이스 판을 포함하는 케이스;상기 상부 베이스 판과 상기 하부 베이스 판 중 한 쪽에 또는 상기 상부 베이스 판 및 상기 하부 베이스 판 모두에 형성되는 윅(wick); 및상기 윅 내부에 흐르며, 나노 입자가 분산된 작동 유체(working fluid)를 포함하며,상기 윅은 모세관력으로 상기 작동 유체를 이동시키는 것을 특징으로 하는 고성능 및 고신뢰성 판상 열방출 소자
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제1항에 있어서,상기 상부 베이스 판 및 상기 하부 베이스 판은 레이저 용접 처리하여 실링(sealing)되는 것을 특징으로 하는 고성능 및 고신뢰성 판상 열방출 소자
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제1항에 있어서,상기 상부 베이스 판 및 상기 하부 베이스 판은 구리(Cu)를 포함하는 열전도도가 높은 금속에 내부식성 처리를 하여 화학적으로 강건하게 만든 물질이거나 질화알루미늄(AlN)을 포함하는 열전도도가 높고 EMC를 포함하는 패키징 몰딩 소재 또는 반도체 물질과 열 팽창 계수가 매칭되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고성능 및 고신뢰성 판상 열방출 소자
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제1항에 있어서,상기 상부 베이스 판 및 상기 하부 베이스 판은 구리(Cu)를 포함하는 열전도도가 높은 금속으로 이루어지며,상기 윅은 실리콘 카바이드(SiC) 또는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 열전도도가 높으면서 화학적으로 강건한 물질로 이루어진 나노 구조를 포함한 나노 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고성능 및 고신뢰성 판상 열방출 소자
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제1항에 있어서,상기 상부 베이스 판 및 상기 하부 베이스 판은 질화알루미늄(AlN)을 포함하는 높은 열전도도가 높고 EMC를 포함하는 패키징 몰딩 소재 또는 반도체 물질과 열 팽창 계수가 매칭되는 물질로 이루어지며,상기 윅은 실리콘 카바이드(SiC)를 포함하는 높은 열전도도를 가지면서 화학적으로 강건한 물질로 이루어진 나노 구조를 포함하는 나노 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고성능 및 고신뢰성 판상 열방출 소자
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제5항에 있어서,상기 질화알루미늄을 포함하는 열전도도가 높고 EMC를 포함하는 패키징 몰딩 소재 또는 반도체 물질과 열 팽창 계수가 매칭되는 물질로 이루어진 상부 베이스 판 및 하부 베이스 판은 소결 처리된 물질로 제작되는 것을 포함하는 고성능 및 고신뢰성 판상 열방출 소자
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제1항에 있어서,상기 작동 유체는 실리콘 카바이드 나노 입자 또는 질화알루미늄 나노 입자를 포함하는 높은 열전도도를 갖는 나노 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고성능 및 고신뢰성 판상 열방출 소자
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제1항에 있어서,상기 판상 열방출 소자는 대형화에 따라 상기 상부 베이스 판 및 상기 하부 베이스 판의 함몰 방지를 위해 일정 간격마다 상기 베이스 판 및 상기 하부 베이스 판 사이에서 지지하는 필러를 포함하는 것을 특징으로 하는 고성능 및 고신뢰성 판상 열방출 소자
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