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기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하되, 무기 나노입자 및 유기 고분자를 포함하는 복합전자수송층;상기 복합전자수송층 상에 위치하는 양자점 발광층; 및상기 양자점 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 복합전자수송층은 상기 무기 나노입자와 상기 유기고분자가 물리적으로 혼합된 구조인 것을 특징으로 하고,상기 무기 나노입자 및 상기 유기고분자의 질량비는 5:1 내지 10:1인 것을 특징으로 하고,상기 유기 고분자에 의해 전류 밀도가 감소하는 것을 특징으로 하는 역구조 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 무기 나노입자는 금속산화물 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 양자점 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 금속산화물 입자는 산화아연(ZnO), 산화아연마그네슘(ZnMgO), 산화알루미늄아연(Al3ZnO), 이산화티타늄(TiO2), 산화마그네슘(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화주석(SnO), 이산화주석(SnO2), 산화탄탈륨(Ta2O3), 산화아연주석(ZnSnO) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 역구조 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 유기고분자는 PVP(Polyvinylpyrrolidone), PVA((PolyvinylAlcohol), PMMA(polymethylmethacrylate), PEI(polyetherimide) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 역구조 양자점 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 양자점 발광층 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 정공수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 양자점 발광 다이오드
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제7항에 있어서,상기 정공수송층 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 정공주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 양자점 발광 다이오드
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기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 무기 나노입자 및 유기 고분자를 포함하는 복합전자수송층을 형성하는 단계;상기 복합전자수송층 상에 양자점 발광층을 형성하는 단계; 및상기 양자점 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 복합전자수송층은 상기 무기 나노입자와 상기 유기고분자가 물리적으로 혼합된 구조인 것을 특징으로 하고,상기 무기 나노입자 및 상기 유기고분자의 질량비는 5:1 내지 10:1인 것을 특징으로 하고,상기 유기 고분자에 의해 전류 밀도가 감소하는 것을 특징으로 하는 역구조 양자점 발광다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,상기 복합 전자수송층을 형성하는 단계는 용액공정을 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 역구조 양자점 발광다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,상기 무기 나노입자는 산화아연(ZnO), 산화아연마그네슘(ZnMgO), 산화알루미늄아연(Al3ZnO), 이산화티타늄(TiO2), 산화마그네슘(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화주석(SnO), 이산화주석(SnO2), 산화탄탈륨(Ta2O3), 산화아연주석(ZnSnO) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 역구조 양자점 발광 다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,상기 유기고분자는 PVP(Polyvinylpyrrolidone), PVA((Polyvinyl Alcohol), PMMA(polymethylmethacrylate), PEI(polyetherimide) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 역구조 양자점 발광 다이오드 제조방법
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