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화학식 1의 화합물을 포함하는 유기 반도체:[화학식 1]상기 식에서, 상기 X는 O 또는 C(CN)2 중 어느 하나이고, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 C4 내지 C15 범위의 탄소로 이루어진 사슬형 탄화수소이다
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제1항에 있어서,상기 R1 및 R2는 1차 탄소로 이루어진 것을 특징으로 하는,유기 반도체
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제2항에 있어서,상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 옥틸(octyl)기인 것을 특징으로 하는,유기 반도체
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제3항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 1
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제1항에 있어서,상기 R1 및 R2는 2차 탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는,유기 반도체
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제5항에 있어서,상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 에틸헥실(ethylhexyl)기인 것을 특징으로 하는, 유기 반도체
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제6항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 1
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제3항 또는 제6항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 산화전위가 0
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제3항 또는 제6항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 -3
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제3항 또는 제6항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 100 내지 200 ℃의 녹는점을 가지는 것을 특징으로 하는,유기 반도체
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제3항 또는 제6항에 있어서,상기 화학식 1의 화합물은 D-A-D(도너-억셉터-도너) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는,유기 반도체
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12
제3항 또는 제6항에 있어서,상기 X가 C(CN)2인 경우 양극성 거동을 하는 것을 특징으로 하는,유기 반도체
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기판;상기 기판 위에 형성된 유전체;상기 유전체 위에 형성된 D-A-D형 유기 반도체; 및 상기 D-A-D형 유기 반도체 위의 일부에 형성되는 전극을 포함하는,유기 반도체를 이용한 트랜지스터
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제13항에 있어서,상기 D-A-D형 유기 반도체는 화학식 1의 화합물인 것을 특징으로 하는, 유기 반도체를 이용한 트랜지스터:[화학식 1]상기 식에서, 상기 X는 O 또는 C(CN)2 중 어느 하나이고, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 C4 내지 C15 범위의 탄소로 이루어진 사슬형 탄화수소이다
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제14항에 있어서,상기 유기 반도체는 상기 유전체 위에서 용액 전단 방법으로 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는,유기 반도체를 이용한 트랜지스터
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제15항에 있어서,상기 트랜지스터는 상부-접촉/하부-게이트(TC/BG) 구조인 것을 특징으로 하는,유기 반도체를 이용한 트랜지스터
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