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플라즈마 방전을 위한 고전압전극 및 접지전극 중 한 전극으로 작용하고, 물을 분사하여 무화수에 고전압을 인가하거나 상기 무화수를 전기적으로 접지하는 노즐; 및상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 플라즈마 방전을 위한 고전압전극 및 접지전극 중 다른 한 전극으로 작용하여 상기 무화수를 전기적으로 접지하거나 상기 무화수에 고전압을 인가하는 플레이트를 포함하며,상기 노즐과 상기 플레이트는상기 방전갭 내의 처리대상 물질을 수처리 하도록 상기 무화수에 플라즈마 방전을 일으키는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제1항에 있어서,상기 노즐은 고전압전극으로 작용하여, 물을 분사하여 무화수에 고전압을 인가하고,상기 플레이트는상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 플라즈마 방전을 위한 접지전극으로 작용하여 상기 무화수를 전기적으로 접지하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제1항에 있어서,상기 노즐은 접지전극으로 작용하여, 물을 분사하여 무화수를 전기적으로 접지하고,상기 플레이트는상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 플라즈마 방전을 위한 고전압전극으로 작용하여 상기 무화수에 고전압을 인가하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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플라즈마 방전을 위한 고전압전극 및 접지전극 중 한 전극으로 작용하고, 물과 기체를 분사하여 기체가 포함된 무화수에 고전압을 인가하거나 상기 무화수를 전기적으로 접지하는 노즐; 및상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 플라즈마 방전을 위한 고전압전극 및 접지전극 중 다른 한 전극으로 작용하여 상기 무화수를 전기적으로 접지하거나 상기 무화수에 고전압을 인가하는 플레이트를 포함하며,상기 노즐과 상기 플레이트는상기 방전갭 내에서 물에 포함된 오염수 또는 기체에 포함된 오염기체를 수처리 하도록 상기 무화수에 플라즈마 방전을 일으키는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제4항에 있어서,상기 노즐은 고전압전극으로 작용하여, 오염수를 포함하는 물과 기체의 조합 또는 오염기체와 물의 조합을 분사하여 기체가 포함된 무화수에 고전압을 인가하고,상기 플레이트는상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 플라즈마 방전을 위한 접지전극으로 작용하여 상기 무화수를 전기적으로 접지하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제4항에 있어서,상기 노즐은 접지전극으로 작용하여, 오염수를 포함하는 물과 기체의 조합 또는 오염기체와 물의 조합을 분사하여 기체가 포함된 무화수를 전기적으로 접지하고,상기 플레이트는상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 플라즈마 방전을 위한 고전압전극으로 작용하여 상기 무화수에 고전압을 인가하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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플라즈마 방전을 위한 고전압전극 및 접지전극 중 한 전극으로 작용하고, 물을 분사하여 무화수에 고전압을 인가하거나 상기 무화수를 전기적으로 접지하는 노즐; 및상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하여 기체를 통과시키고, 플라즈마 방전을 위한 고전압전극 및 접지전극 중 다른 한 전극으로 작용하여 기체가 포함된 상기 무화수를 전기적으로 접지하거나 상기 무화수에 고전압을 인가하는 플레이트를 포함하며,상기 노즐과 상기 플레이트는상기 방전갭 내에서 오염수를 포함하는 물 또는 오염기체를 포함하는 기체를 수처리 하도록 상기 무화수에 플라즈마 방전을 일으키는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제7항에 있어서,상기 노즐은 고전압전극으로 작용하여, 오염수 또는 세정수를 분사하여 무화수에 고전압을 인가하고,상기 플레이트는상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 방전기체 또는 오염기체를 통과시켜 플라즈마 방전을 위한 접지전극으로 작용하여 상기 무화수를 전기적으로 접지하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제7항에 있어서,상기 노즐은접지전극으로 작용하여, 오염수 또는 세정수를 분사하여 무화수를 전기적으로 접지하고,상기 플레이트는상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 방전기체 또는 오염기체를 통과시켜 플라즈마 방전을 위한 고전압전극으로 작용하여 상기 무화수에 고전압을 인가하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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플라즈마 방전을 위한 고전압전극으로 작용하고, 물을 분사하여 무화수에 고전압을 인가하는 고전압 노즐; 및상기 고전압 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 플라즈마 방전을 위한 접지전극으로 작용하여 상기 무화수를 전기적으로 접지하는 대응 플레이트를 포함하며,상기 고전압 노즐과 상기 대응 플레이트는상기 방전갭 내의 처리대상 물질인 오염기체를 수처리 하도록 상기 무화수에 플라즈마 방전을 일으키는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제1항에 있어서,상기 고전압 노즐과 상기 대응 플레이트는상기 무화수의 플라즈마 방전으로 생성된 활성 산소종을 상기 오염기체에 공급하여,오존을 포함한 활성 산소종으로 오염기체로부터 오염물질을 제거하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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12
제10항에 있어서,상기 고전압 노즐과 상기 대응 플레이트는상기 무화수의 플라즈마 방전으로 상기 오염기체의 부분 산화를 통해서 용해도가 높아진 상태의 오염기체로부터 오염물질을 제거하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제10항에 있어서,상기 고전압 노즐과 상기 대응 플레이트는서로의 사이에 오염기체를 흐르게 하는 기체통로를 더 형성하며,무화수의 플라즈마 방전으로 상기 기체통로를 경유하는 오염기체로부터 오염물질을 제거하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제10항에 있어서,일측에 상기 고전압 노즐이 설치되고, 상기 방전갭으로 이격된 상기 대응 플레이트가 내장되는 하우징을 더 포함하며,상기 하우징은상기 오염기체를 공급하는 기체 공급구,오염물질이 제거된 처리기체를 배출하는 기체 배출구, 및분사된 물을 배출하는 물 배출구를 포함하는 수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제14항에 있어서,상기 고전압 노즐과 상기 기체 공급구는 상기 하우징의 상단에 구비되고,상기 대응 플레이트는 다공판으로 형성되어 상기 하우징에서 상기 고전압 노즐의 하방에 구비되며,상기 기체 배출구와 상기 물 배출구는 상기 대응 플레이트의 하방에 순차적으로 구비되는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제15항에 있어서,상기 고전압 노즐의 반대측에서 상기 대응 플레이트에 인접하여 상기 하우징 내에 배치되어, 상기 오염기체를 통과시키면서 상기 무화수를 잡아 물로 변환시키는 디미스터(demister)를 더 포함하는 수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제16항에 있어서,상기 디미스터는상기 대응 플레이트와 상기 기체 배출구 사이에 구비되는 수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제14항에 있어서,상기 고전압 노즐과 상기 기체 배출구는 상기 하우징의 상단에 구비되고,상기 대응 플레이트는 다공판으로 형성되어 상기 하우징에서 상기 고전압 노즐의 하방에 구비되며,상기 기체 공급구와 상기 물 배출구는 상기 대응 플레이트의 하방에 순차적으로 구비되는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제10항에 있어서,일측에 상기 고전압 노즐이 설치되고, 상기 방전갭으로 이격된 상기 대응 플레이트가 내장되는 내부 하우징, 및상기 내부 하우징을 수용하고 상기 내부 하우징보다 하방으로 더 길게 형성되는 외부 하우징을 더 포함하며,상기 내부 하우징은상기 처리대상 물질인 오염기체를 공급하는 기체 공급구를 포함하고,상기 외부 하우징은오염물질이 제거된 처리기체를 배출하는 기체 배출구, 및분사된 물을 배출하는 물 배출구를 포함하는 수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제19항에 있어서,상기 고전압 노즐과 상기 기체 공급구는 상기 내부 하우징의 상단에 구비되고,상기 대응 플레이트는 다공판으로 형성되어 상기 내부 하우징의 하단에서 상기 고전압 노즐의 하방에 구비되며,상기 기체 배출구는 상기 외부 하우징의 상단에 구비되고, 상기 물 배출구는 상기 대응 플레이트의 하방에서 상기 외부 하우징에 구비되는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제14항에 있어서,상기 고전압 노즐은분지되는 복수의 팁들을 포함하여,상기 복수의 팁들은상기 방전갭으로 상기 대응 플레이트에 이격되어 서로 마주하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제10항에 있어서,상기 고전압 노즐에 공급되는 물은세정수 또는 약액인 수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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플라즈마 방전을 위한 고전압전극 및 접지전극 중 한 전극으로 작용하고, 처리대상 오염수를 분사하여 무화수에 고전압을 인가하거나 무화수를 전기적으로 접지하는 노즐; 및상기 노즐과 방전갭으로 이격되어 서로 마주하고, 플라즈마 방전을 위한 다른 한 전극으로 작용하여 상기 무화수를 전기적으로 접지하거나 무화수에 고전압을 인가하는 플레이트를 포함하며,상기 노즐과 상기 플레이트는상기 방전갭 내의 처리대상 오염수를 수처리 하도록 방전기체와 상기 무화수에 플라즈마 방전을 일으키는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제23항에 있어서,상기 노즐과 상기 플레이트는상기 무화수의 플라즈마 방전으로 상기 처리대상 오염수의 산화를 통해서 오염수로부터 오염물질을 제거하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제23항에 있어서,일측에 상기 노즐이 설치되고, 상기 방전갭으로 이격된 상기 플레이트가 내장되는 하우징을 더 포함하며,상기 하우징은상기 방전기체를 공급하는 기체 공급구,오염물질이 제거된 처리수를 배출하는 처리수 배출구, 및플라즈마 방전에 사용된 방전기체를 배출하는 기체 배출구를 포함하는 수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제25항에 있어서,상기 노즐은분지되는 복수의 팁들을 포함하여, 적어도 2유체를 공급하며,상기 복수의 팁들은상기 방전갭으로 상기 플레이트에 이격되어 마주하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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제23항에 있어서,일측에 상기 노즐이 설치되고, 상기 방전갭으로 이격된 상기 플레이트가 내장되는 내부 하우징, 및상기 내부 하우징을 수용하고 상기 내부 하우징보다 하방으로 더 길게 형성되는 외부 하우징을 더 포함하며,상기 내부 하우징은상기 방전기체를 공급하는 기체 공급구를 포함하고,상기 외부 하우징은플라즈마 방전에 사용된 기체를 배출하는 기체 배출구, 및오염물질이 제거된 처리수를 배출하는 처리수 배출구를 포함하는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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28
제27항에 있어서,상기 노즐과 상기 기체 공급구는 상기 내부 하우징의 상단에 구비되고,상기 플레이트는 다공판으로 형성되어 상기 내부 하우징의 하단에서 상기 노즐의 하방에 구비되며,상기 기체 배출구는 상기 외부 하우징의 상단에 구비되고,상기 처리수 배출구는 상기 플레이트의 하방에서 상기 외부 하우징에 구비되는수막 내 플라즈마를 이용한 수세식 스크러버
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