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트랩 준위 밀도가 감소한 양자점 표면을 갖는 광학 소자 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2021004281
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예들은 기판; 상기 기판 상에 형성된 하나 이상의 전극; 및 상기 전극에 전기적으로 연결된 양자점 레이어를 포함하고, 상기 양자점 레이어의 표면은 산화 처리된 광학 소자 및 이를 제조하는 방법에 관련된다.
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/09 (2006.01.01) H01L 31/0328 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/186(2013.01)
출원번호/일자 1020190125941 (2019.10.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0043141 (2021.04.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황규원 서울특별시 성북구
2 황도경 서울특별시 성북구
3 이경석 서울특별시 성북구
4 진준영 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-1036386-78
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-1046809-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0016144-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0070581-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0325496-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2021-0325497-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하나 이상의 전극을 형성하는 단계;상기 전극과 전기적으로 연결되는 양자점(quantum dot) 레이어를 형성하는 단계; 및상기 양자점 레이어의 표면을 산화 처리하여 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 광학 소자 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 양자점 레이어는, 콜로이드 반도체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 소자 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 양자점 레이어는,II-VI족 화합물, II-V족 화합물, III-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, II-IV-VI족 화합물, II-IV-V족 화합물 및 이들의 조합 중 어느 하나의 그룹에서 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 소자 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 산화 처리는 RTA 산화 처리인 것을 특징으로 하는 광학 소자 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 RTA 산화 처리는, 원자 확산으로 인한 양자점 레이어의 결정 구조가 변하지 않게 양자점 표면을 산화 처리하는 것을 특징으로 하는 광학 소자 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 RTA 산화 처리는, 100 °C 이상 170°C 미만의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 광학 소자 제조 방법
7 7
기판; 상기 기판 상에 형성된 하나 이상의 전극; 및상기 전극에 전기적으로 연결된 양자점 레이어를 포함하고, 상기 양자점 레이어의 표면은 산화 처리된 것을 특징으로 하는 광학 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 양자점 레이어의 표면은, RTA 산화 처리된 것을 특징으로 하는 광학 소자
9 9
제7항에 있어서, 상기 양자점 레이어의 표면 상에 형성된 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 중견후속연구(연평균연구비 1억원~2억원 이내) 고성능 광전자 소자 개발을 위한 나노 소재 혼합 차원 이종 접합 기술 개발